D．1基本、共同用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D1013
box
运载盒
指为要输送或保管晶圆之容器.在制造过程上务必保持晶圆不至受到容器排放瓦斯之污染,输送盒材质之鉴定至为重要.目前,输送盒以使用聚丙稀()树脂及聚碳酸脂()的树脂为主.
D1014
tool
组合设备公具
指将不同装置厂家之设备或不同制程之结合,或能将半导体装置制造商独特之制造模块，加以装配之多加工室（）制造装置。是以美国半导体制造装置厂家为中心之团体MESA( )所提倡者。
D1015
Pre-purge
是指要使用热处理炉、反应室或瓦斯配管系统之前，将纯性瓦斯引进加以净化之操作。
D1016
Cost of
是将半导体制造相关设备之投资，或将营运之经济性评价基准，以经营位皆加以模型化者。将制造装置之寿命周期成本（life cycle cost）,以装置价格、生产性、可靠性及成品率等加以考量，而算出每一晶圆良品成本之方法。
D1017
磁耦合旋转馈通
是指利用N极S极之磁性结合力，将外旋转驱动力传达到真空气氛内之旋转机构。是一种非接触旋转，因多半在真空与大气间隔着一道墙壁之构造，其真空密封寿命为无限大，对超高真空性能之维持很有效。
D1018
磁悬浮输送
是指利用磁性反斥力之非接触性输送机构。是由控制磁悬浮之控制电磁铁、线性马达及悬浮体等所构成，例如遮光罩或晶圆等之基片搭载在悬浮体上来移动。在真空中使用时，因属非接触，无振动、无润滑油及全然不产生灰尘，具有可获得洁净真空等大特点。
D1019
Robot for using in
真空机械人
是指在真空室内，为要移送基板单体所使用输送机构之总称。为防止例如遮光罩，晶圆等基板受到微粒之污染，采用振动部极低之机构。就其功能而言，一般具有直进、旋转、上下移动等功能。
D1020
生产量，工作数
是单位时间内所能处理之遮光罩或晶圆等基板之工作数量。
D1021
Slow vent
缓慢通气
是指将真空装置之真空槽，恢复到大气压之过程中，经由调节电导阀，可以很小之导入速度缓慢加以通气。其目的在于防止微粒飞扬。
Soft vent
软性通气
D1013
box
运载盒
指为要输送或保管晶圆之容器.在制造过程上务
必保持晶圆不至受到容器排放瓦斯之污染,输送盒材质之鉴定至为重要.目前,输送盒以使用聚丙稀()树脂及聚碳酸脂()的树脂为主.
D1014
tool
组合设备公具
指将不同装置厂家之设备或不同制程之结合,或能将半导体装置制造商独特之制造模块，加以装配之多加工室（）制造装置。是以美国半导体制造装置厂家为中心之团体MESA( )所提倡者。
D1015
Pre-purge
是指要使用热处理炉、反应室或瓦斯配管系统之前，将纯性瓦斯引进加以净化之操作。
D1016
Cost of
是将半导体制造相关设备之投资，或将营运之经济性评价基准，以经营位皆加以模型化者。将制造装置之寿命周期成本（life cycle cost）,以装置价格、生产性、可靠性及成品率等加以考量，而算出每一晶圆良品成本之方法。
D1017
磁耦合旋转馈通
是指利用N极S极之磁性结合力，将外旋转驱动力传达到真空气氛内之旋转机构。是一种非接触旋转，因多半在真空与大气间隔着一道墙壁之构造，其真空密封寿命为无限大，对超高真空性能之维持很有效。
D1018
磁悬浮输送
是指利用磁性反斥力之非接触性输送机构。是由控制磁悬浮之控制电磁铁、线性马达及悬浮体等所构成，例如遮光罩或晶圆等之基片搭载在悬浮体上来移动。在真空中使用时，因属非接触，无振动、无润滑油及全然不产生灰尘，具有可获得洁净真空等大特点。
D1019
Robot for using in
真空机械人
是指在真空室内，为要移送基板单体所使用输送机构之总称。为防止例如遮光罩，晶圆等基板受到微粒之污染，采用振动部极低之机构。就其功能而言，一般具有直进、旋转、上下移动等功能。
D1020
生产量，工作数
是单位时间内所能处理之遮光罩或晶圆等基板之工作数量。
D1021
Slow vent
缓慢通气
是指将真空装置之真空槽，恢复到大气压之过程中，经由调节电导阀，可以很小之导入速度缓慢加以通气。其目的在于防止微粒飞扬。
Soft vent
软性通气
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D1022
Slow /slow
缓慢排气
是指将真空装置从大气压开始真空排气过程中，经由调节电导阀以很小之排气速度缓慢加以排气。其目的在于防止微粒飞扬。类似之用语有软性排气（soft ）。
Soft
软性排气
D1023
chuck
静电夹头，静电夹盘
是在载物台上设立介电层，对载物台与晶圆间施加电压，经由发生在两者间之库伦力，将晶圆加以吸住之机构。为要保持晶圆及温度控制，可以在载物台或输送系统等。
D1024
发送机
是指将收纳处理前之遮光罩或晶圆等基板之匣盒，加以搭载并将基板输送至处理装置之机构。
D1025
Soak time
热炼时间
系指将退火装置或真空蒸镀装置之加热对象物，以不致蒸发之温度加以维持之时间。就退火而言，指维持所希望时间，就真空蒸镀法而言，指预备加热温升排气之时间。
D1026
Soft
软性着陆
旨在横型之热氧化装置，热扩散装置及热CVD装置，将搭载晶元之晶舟，输入或输出制成反应管之际，不至于接触管内壁，具有可抑制产生微粒功能之搬运装置。
D1027
Turbo pump
涡轮式分子泵
指具有汽涡轮机形之叶片，经由高速旋转之转子，将与其叶片表面碰撞气体分子给与运动量，以输送气体之运动量输送式真空泵。可在分子流领域有动作。
D1028
Dummy wafer
仿真晶元，虚设晶圆
指当装置在试运转中，分批处理晶圆时为要凑齐片数，或为承载效应等对策所使用，指实际没有形成IC图案的晶圆.
D1029
Chip ?die
芯片/小芯片
指将用来制作无源（被动）组件、有源（主动）组件，或被制成集成电路为前提之半导体或绝缘物细片。有时亦可称为（片状器件）。请参阅cf. JIS.请参阅图E-1002.
D1030
Turn--time
一贯制程所需时间
指将工件之完成产品所需要之时间。如何将产品提早完成，Q-TAT(QUICK TAT)
D1031
Dry pump
干式真空泵
指作为涡轮式分子泵或低温泵()(oil free)指出加工，系瓦斯通路不会混入油分之不沾油泵。通常可从大气压减压至10-3Pa
D1032
Batch
分批处理
系指每次可见多数片晶圆加以处理之方式。
D1033
缓衡容器
系指可在装置内暂时收纳遮光罩或晶圆等基板之单元。通常可分为使用载运闸盒，或使用专用治具者。基板之进出有先进先出(FIFO)，有后进先出(LIFO)之2种方式。
D1034
Foot print
脚印
系指将装置设置在平面时，从正上方加以投影之总设置面积。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D1035
制程感应粒子计数器
系指具有严格之试料气体防漏机构，将试料流通路内鼻子残留杂质彻底加以除去之光散射式粒子计数器。系用来监视半导体组件制造原料瓦斯，CVD或注入粒子装置等减压槽中之浮游粒子数。
D1036
无带式输送系统
是指将遮光罩或晶圆等基板背面，以诸如真空机械人或磁浮等非用直接输送带之基板输送机构之总称。以采用橡皮输送带或金属性弹性带之输送，无法防止来自输送带材质之污染，因此今后均以无带式输送主流。
D1037
wafer
单晶圆处理方式
是指将晶圆一片一片加以处理之方式。
D1038
Multi-
多式真空系统
是指关于布线工程、薄膜形成工程等，经由将各个不同制程适当加以搭配在一起，且在一贯之气氛下加以处理，为提升制程之总功能为目的，所构成之多室真空装置。此一真空装置有以输送室为中心，在其周围将制程室配制成放射状型。以及以输送室为中央，而将制程室配置在两侧之线形型等两种。
D1039
chuck
机械式夹头
是指利用机械爪具或环形吸盘等，将晶圆外周部加以机械式保持、安装之机构。
D1040
接受匣盒
是指搭载处理后之遮光罩，晶圆等基板之收纳匣盒，及将基板由处理装置取出之机构。
D1041
处理程序
是指为要进行晶圆制程之处理控制，对制程装置之制程次序，及控制参数（温度，压力，瓦斯之种类及流量，时间等控制目标值）等相关装置个别之处理程序。
D1042
装载机、装料机
指将加工对象（work）放置与所定位置或安装之机构。
D1043
load-lock
加载互琐真空室
是不得将处理室暴露于大气中，可进行晶圆之装入与取出为目的之真空室。在处理室之前后或任一方配置一个阀，经由阀与真空排气系统动作之搭配，可以经常保持处理室在真空状态。
D1044
rapid
快速热处理
是有关热处理，为提升产量（）等目的，将温度作快速上升或下降等操作或制程。
D1045
in-situ
就地，在现场，自然（环境）
以往都将起当作另外制程进行之处理，却将其编入其它制程内，诸如：in-situ ,in-situ ,及in-situ 可分别当作就地清洁，自然（环境）掺杂，及现场监视等使用。
D1046
Open
开放式晶圆匣
是属于可收纳晶圆而在装置间搬运之容器，由可支持晶圆之部位，与搬运时将容器本体加以把持之部位，以及由此等支持体所组成，其晶圆收纳部成为开放状态之晶圆搬运容器。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D1047
运动举上之耦合
在载物台上配置有位于三角形顶点之三个凸状，且具有3次元曲面之突出头，在各个突出头套上设在被载物体之3个颠倒V字形之嵌合罩，是用来进行位置决定之机构。被使用作300mm之晶圆搬运机（wafer ）。具有较大之调准范围与经由自动求心之较高位置决定精确度为其特点。
D1048
Swift start up
快速启动系统
关于半导体等生产启动，从初期阶段起同时将各装置加以设置，边决定制程条件，边快速提高到全能生产时能力之快速生产启动方法。
D1049
热预算
系指在制程中，晶圆所受到的总热量。是温度及暴露于该温度全时间的函数。
D1050
PID
PID温度控制
是典型制程温度控制方式之一种。使用P为比例，1为积分，D为微分等3种基本演算，将目标值与现有值间的差值变换成控制量者。针对PID各参数变更，可较为容易地预测其控制特性的变化。
D1051
Pod密闭夹式容器
为达成高度局部洁净化需要，且降低洁净室的
营运成本为目的，是用作保存及输送如晶圆等被处理体密闭容器的总称。经由以下主要构成要素的选择，可以考量有如下四种组合，容器内部可保持晶圆的匣盒部分，与容器为一体构造，（即匣盒部分为可拆开式或无法拆开式）。其开口部位在前面或底面者。
D1052
加工整合，整合处理
当靠量抑制加工研发的投资结果，在半导体制造装置内，以一定的条件或环境下，将多项加工连续反复加以处理，在同一晶圆上重复加工，可以提升合格率或生产效率的技术。列如可以列举以in-situ将蚀刻或溅射等，施加一连串的处理，且加以回收之多室装置等。
D．2薄膜形成用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D2001
Thin film
薄膜沉积系统
是指有关半导体制造工程，可形成绝缘膜，电极布线膜，及半导体膜之装置总称。有关薄膜之形成原理可大略分成真空蒸镀装置，溅镀()系统等PVD( )系统,CVD( Vapor )系统，及磊晶（）生长系统。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D2002
注入器
喷嘴
系指诸如CVD系统，磊晶生长系统等反映室内，注入瓦斯之喷出部。也可称为喷嘴。
D2003
Wafer
晶圆加热机构
系指为加热晶圆所护套加热器，红外线灯加热器等的总称。随着晶圆之大口径化，需要面内有均匀加热性能，进年来在发热体与晶圆背面间，使用He或Ar等瓦斯作为热媒体，此一媒体加热已成为重要技术。
D2004
Spin on glass
SOG涂敷
SOG涂布
是指为要层间绝缘膜或平坦化，所使用涂敷有SOG（spin–on-glass）膜之敷层。此一敷层使用将SiOx溶解于酒精俗称调味料之药液。敷层后进行硬化烘焙（400-700℃）使溶剂挥发。因药液之粘度很高，有使用喷嘴洗涤及帽套洗涤机构之必要。
D2005
突出部分，悬垂物
是指有关组件之穿孔（ hole）等，其段差部之纵横比（ ratio）较大时，上部段差部角较下部底面之膜厚为大，形成如同雨檐突出部分之膜。
D2006
快门光匣
是指位在薄膜形成装置之蒸发源与晶圆间，所设置之遮断板。薄膜形成中为打开。
D2007
Step
阶跃式覆盖率
是指位在LSI等半导体组件薄膜表面上，有微细段差部之膜覆盖状态。因有段差部之覆盖状态，直接影响到布线之不正常断线，成为产品合格率，品质下降之原因。
D2008
平坦化
是指随着布线之多层化，可以将纵向构造之段差凹凸情况，加以缓和之技术。就绝缘膜之平坦化法而言，有镀膜（）法，偏溅射（）法，平坦化热处理（）法、背面蚀刻（etch back）法，及剥离（lift off）法。就金属膜之平坦化法而言，有偏溅射法、CVD选择生长法等。对于CMP法所能获得跨于晶圆全面之平坦化，特别称为全面平坦化。
D2009
Void
空隙，空洞
当将晶圆加热时铝等金属膜构造将产生变化。此时，将有压缩应力作用于布线材料膜，为缓和此一应力过程，将在表面上产生突起之结晶粒，在温度下降之过程为要缓和张力，而在结晶粒界所产生之空隙。
D2010
聚酸亚胺涂敷
是指为要形成保护膜、层间绝缘膜，所加以之涂敷聚酸亚胺膜。因聚酸亚胺粘性很高（1000-）使用挥发性较低溶剂NMP（N- ）。涂敷后，为溶剂之挥发而在400℃中进行硬化烘焙。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D2011
Mouse hole
老鼠洞
是指在组件图案之段差部形成薄膜之际，由于侧壁与平面间之膜质之不同，往后在蚀刻制程中由部分系在高速蚀刻下进行，而产生蛀虫状之洞穴。
D2012
圆滑热处理，平坦化热处理技术
是指随着LSI组件之积体化，为缓和较复杂之段差纵向构造，经由高温热处理谋求平坦化为目的，所使用之技术。将含有磷8-12%（重量百分比）之PSG膜，以CVD法加以沉积，经由大约1000℃之高温热处理，利用PSG之流动性将晶圆表面加以平坦化。为降低玻璃之软化点，亦利用对PSG膜掺入硼杂质之BPSG膜。注：PSG（ ）文句构造文法。
D2013
Wafer stage
晶圆冷却夹片台
是指将编排在半导体制造装置内之高温晶圆，加以冷却之夹片台。亦称为冷却站（ ），氧化、退火装置或抗蚀刻处理装置，亦有此一设备。
D2014
thin film
铁电薄膜
强诱电体薄膜
是指使用与电容器的PAT*1、、、、BST*2、SBT*3等强电介体薄膜。是由MOCVD法，溶液汽化CVD法，溅射法，法及涂敷法等所形成。注：*1： – xTiO3;
*2 : – xTiO3;
*3 : .
D2015
trap
离子喷镀系统
是指在CVD装置，为要保护真空泵等，利用等离子体去除所反应副生物的装置。
2．1真空蒸镀装置用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D2101
真空蒸镀系统
真空蒸着装置
是指在低于10-2Pa压力的真空装置内放置蒸发源，并在其周围放置晶圆，经由加热蒸发源使材料（金属或某种化合物），在真空中将晶圆加以蒸镀的装置，蒸发源原子（或分子）由蒸发源汽化直接在晶圆基板上沉积凝积。
D2102
电阻加热真空蒸镀系统
抵抗加热真空蒸着装置
此一装置可以分类成以W,Ta,,Mo等高熔点金属，所制成加热器或BN等复合材料加以通电，使蒸发材料直接加热蒸发的直接加热式装置，以及由坩埚与发热体所构成的间接加热式装置等2种。此一系统的真空蒸镀装置中，构造最简单具备有能量上最稳定状态的特点。
D2103
beam
电子束蒸镀系统
系指将电子束照射于蒸发材料使其加热,有利用其蒸发击力来蒸镀之装置。就此一方法而言，坩埚因置于水中冷却，坩埚材料中之杂质，混入蒸镀膜之可能性较小，此法亦使用于高融点物质，半导体或氧化物之蒸镀。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D2104
感应加热蒸镀系统
高周波诱导加热真空蒸着装置
系指利用蒸发材料本身所感应之高频电流，作为加热源之真空蒸镀装置。此一方法仅对电感应材料有效，而不能适用于绝缘体。此法可利用于不受荷电粒子损伤之蒸镀装置。
D2105
Ion
离子喷镀系统
系指将晶圆置于阴极侧，产生辉光放电，从蒸发源将蒸发原子加以电离化或激励，加速后撞击在基板上，且加以堆积之真空蒸镀装置。经由此法可以获得密接性很强之被膜。具有可得膜质很优良之化合物被膜等特点。
D2106
beam
成团离子线束蒸镀系统
系指在高真空中，将102～103个原子聚集成团加以电离化，且加速撞击堆积在晶圆上之装置。以成团蒸发源作为蒸发源，且将蒸汽容器之蒸汽出口做成小喷嘴，促使容器内外压力差很大以便喷出。此时，蒸汽在断热膨胀之过程下形成一团一团。成团之电离化，系利用热电子放射灯丝与阳极，经由电子撞击来进行。
D2107
rate
蒸镀速率
系指每单位时间内，在晶圆上生成之膜厚。就真空蒸镀法而言，称为蒸镀速率，就溅射法而言，称为溅束镀速率，就CVD法而言，可称为沉积速率。
D2108
蒸发源
系指有关真空蒸镀法中，将作为膜材料之蒸发材料，加以蒸发之加热源。此一蒸发源以电阻加热蒸发源，电子束蒸发源，感应加热蒸发源为代表。
D2109
蒸发材料
系指经由蒸发源加热使之蒸发，所称为膜之物质。
D2110
and jig
自转公转夹具
系指有关蒸镀装置,所使用晶圆固定夹具之一种.针对蒸发源配置多数个(通常为3个)圆顶状晶圆固定夹具,在蒸镀中,因可进行各圆顶夹具之自转与公转,可得跨于广大面积厚度均一之膜,同时阶跃式覆盖范围具佳.。
D2111
Dome jig
圆顶夹具
系指内侧能保持多数晶圆之圆顶状晶圆固定器。在其中心轴设置蒸发源，且经由将圆顶加以公转，可同时对多数之晶圆附着钧一之膜。
D2112
膜厚控制
系在成膜制程中，经由厚膜计（水晶振荡式，原子吸光式及光学式等）来监控膜及蒸镀速度，使能成为所定膜厚，或保持一定之蒸镀速度等控制。
D2113
Laser
镭射烧蚀
系利用高密度之光子照射，切断蒸发材料表面之化学结合，使其蒸发而形成薄膜者。
2．2溅镀装置用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D2201
溅镀系统
在真空中引进放电用瓦斯，若对电极间施加电压，将产生辉光放电。此时等离子体()中之正离子撞袭到阴极之靶表面，而将靶原子掏出来。系指利用此一溅射现象，在晶圆上形成薄膜之成膜装置。放电瓦斯使用氩气（Ar）。
D2202
Diode
二极管溅镀系统
系指具有由一对阴极与阳极所成之2极冷阴极辉光放电管构造之溅镀装置。阴极相当于靶子，而阳极兼作基板固定器之功能。产生辉光放电后，等离子体中之氩正离子撞击到靶子表面，将靶原子掏出来，而将设置在阳极之晶圆上，形成薄膜。
D2203
DC diode
直流二极管溅镀系统
系指具有由一对阴极与阳极所成之2极冷阴极辉光放电管构造，在电极间施加直流电压，使产生辉光放电，在此系指利用位在阴极上靶子之溅射现象，来进行形成薄膜之溅镀装置。靶子材料只限于导电体。
D2204
RF diode
高频二极管溅镀系统
指具有一对阴极与阳极所成之2极冷阴极辉光放电管构造，电极间主要施加13.56MHz之高频电压，使之产生辉光放电，而利用位在阴极靶子表面溅射现象，来进行形成薄膜之溅镀装置。离子产生效率交直流2极方式为优。除了金属、半导体外，当然亦可使用于绝缘体，因而被广泛使用。
D2205
直接电磁场型溅镀系统
在溅射法中，是指施加于阴极之电场与成直交之磁场搭配所构成装置之总称。电子受磁场之作用开始作摆线运动（ ）,因要推进很长之距离，而与瓦斯分子间之碰撞频度大增，克维持高离子电流密度放电，因此可作到高速溅镀。
D2206
磁控管溅镀系统
是指经由磁控管原理施加交叉之点磁场，使从阴极产生之电子进行摆线运动，在靶子表面形成高密度等离子体，可以较低电压来提高溅镀速度之高功率效率溅镀装置。从与潘宁（）冷阴极放电同一原理，来进行产生离子潘宁磁控应用，而称为磁控管溅射法。
D2207
平面磁控管溅镀系统
是指磁力线由平板状靶子之背面出来，再回到靶子侧之构造，具有此一阴极构造之磁控管型溅镀装置。磁场在靶上成为环形（race track）状构造，电子一旦进入该空间就被封闭在内无法跑出来。
D2208
同轴磁控管溅镀系统
是指阴极与阳极具有同轴圆筒状构造之磁控管型溅镀装置。在中心圆筒状之靶子内部，收纳有多数个圆筒状磁铁，经由在靶子表面产生平行之磁场，可维持磁控管放电。亦有将阴极与阳极相反配置之反向同轴磁控管溅射方式。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D2209
-gun
溅射枪溅镀系统
是针对具有圆锥台状之靶子，在其背后配置磁通路，而可在靶表面产生平行磁场之构造，是指具有此一阴极构造之磁控管型溅镀装置。靶子形状具有特征，是属于使用效率很优异之靶子。
D2210
(FTS)
相面对靶子溅镀系统
是指有2个互相面对之平板阴极，与沿着其中心轴之磁场，搭配而成磁控管型之溅镀装置。电子被封闭在相面对之阴极间，产生高密度之等离子体。对磁性体之高速溅镀很有效。
D2211
三极管热离子辅助溅镀系统
是指利用热阴极放电之溅镀装置。因具有电子供应灯丝，相面对阳极及阴极等3极，而称为热离子辅助三极管溅射方式。因热离子产生机构独立，具有将靶电压在广泛围内，单独加以控制之特点。
D2212
四极管热离子辅助溅镀系统
是在三极管热离子辅助溅镀装置中，在灯丝前侧附加热电子控制用栅极，而成为四极管热离子辅助溅镀装置。是为提升热离子之控制性，由三极管热离子辅助溅镀装置，进一步加以发展出来者。
D2213
Ion beam
离子束溅镀系统
是指针对置于高真空气氛中之靶子，将从独立离子源以高能加速引出来之离子加以撞击，可在10-2Pa以下低瓦丝压力下，进行成膜之溅镀装置。
D2214
Bias
偏压溅镀系统
是指以负偏压施加于晶圆为特点之溅镀装置。离子之一部将流入基板，虽然在成膜过程中晶圆面，因受到离子之冲击将吸附在膜面之杂志瓦斯驱离出来，除能进行纯水作用外，其它可当作对阶跃式覆盖范围（step ）之改善，以及膜面平坦化效应之改善等为目的，加以利用。
D2215
反应性溅镀系统
是指随着一种化学反应而产生之化合物薄膜（氧化膜或氮化膜等），可附加在素材之溅镀装置。除了氩气外，将活性瓦斯引入溅镀室，列如,对素材如加以溅射金属，可形成金属化合物之薄膜。
D2216
Co-
共同溅镀系统
是指将2种以上具有不同成分元素指靶，同时加以溅镀，可独立将个别功率加以控制，能制作经由此一组成所能控制之膜溅镀装置。可利用于凝形成由2种以上之元素合金或化合物薄膜。
D2217
(ECR)
电子耦合谐振溅镀系统
是指施加微波与磁场，使之产生电子回旋加速器共振放电，籍以进行将等离子体（）与靶电位，独立加以控制之溅镀装置。
D2218
/
阴极/靶电极
在溅镀装置中，是将靶子设置在阴极表面被加以溅镀。此一型装置之阴极有时亦可称为靶电极（ ）。
D2219
准直溅镀
是指对从横尺寸比（ ratio）较大之接触孔（ hole）加以镀膜之际。为使至底部亦能或充分之膜厚，在靶子与晶圆间插入格子状板，具有强制地提高垂直成分机构之建设。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D2220
rate
溅镀速率
系指有关溅镀装置，每单位时间之成膜厚度。
D2221
yield
溅射二次放射系数
系指针对每一个入射离子或中性粒子，从靶子表面被掏出来之原子或分子数目之统计性比例。溅射二次放射系数，依离子之种类，能量之大小，离子入射角，靶子材质，靶子结晶构造及面方位而变化。
D2222
靶子
系指在溅镀装置中，设置于阴极表面，被离子撞击成膜之材料物质。
D2223
of
靶子利用效率
系指针对使用前之靶容积，对消耗容积之比例。位在磁控管阴极上靶材料之消耗，系被夹在磁极之特定领域（浸蚀领域）内进行。此一浸蚀领域之消耗深度，可以确定靶子之寿命。
D2224
plate
支撑板
系指在溅镀装置中，将靶子固定在阴极时，所用之靶固定板。利用例如磁控管溅镀装置这样大电流密度放电之场合，为防止靶本身之温度上升，将靶子连接固定在支撑板上，藉以充分冷却支撑板本身。
D2225
系指在溅镀装置中，在晶圆成膜之前，靶子表面污染层之去除，或为靶表面之安定为目的，所进行之预先溅镀处理。通常将快门光闸关闭状态下进行溅射。
D2226
Force fill
系指溅射法等对覆盖之洞穴进行A1布线之际，在加热状态下，将靶与基板间距离离远一点，且可在低压下安定加以放电之溅射法。
D2227
Long throw
系属于提升根本覆盖范围之一种方法，为仅将溅射粒子之垂直成分能到达基板，将靶与基板间距离离远一点，且可在低压下安定加以放电之溅射法。
2．3CVD装置用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D2301
vapor
化学汽相沉积系统
系指将可构成薄膜材料之元素,一种或数种之化合物瓦斯、单体瓦斯供给晶圆，经由汽相或在晶圆表面之化学反应，可形成所希望薄膜之装置。若拟激励瓦斯，通常要使用热能或等离子体放电。最近以光（雷射光或紫外线等）激励之CVD装置亦渐接近实用化。
D2302
CVD
热激励CVD系统
热CVD装置
系指以热能作为激励CVD反应之装置总称。就热之发生源而言，电阻加热方式与红外线灯加热方式。因受反应室内瓦斯压力，又可分成大气压CVD装置，与低压CVD装置。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D2303
CVD
大气压CVD系统
常压CVD装置
系指反应室内压力，为大气压之CVD装置。其特点为沉积速度快，比较上其阶跃式覆盖范围较佳。
D2304
Low CVD
低压CVD系统
减压CVD装置/低压CVD装置
系指将反应室保持在减压（低压）状态之CVD装置。其特点为可进行晶圆表面之均一反应，比较上其阶跃式覆盖范围较佳。为此已下过很多功夫。
D2305
low CVD
垂直型低压CVD系统
纵型减压CVD装置
系指将反应管及加热器，配置成垂直之低压CVD装置。与水平型比较设置面积较小，因负载锁定（load ）化容易，逐渐成为主流。
D2306
Metal CVD
有机金属CVD系统
有机金属CVD装置/MOCVD装置
系指利用有机金属化合物之热分解反应，来制作化合物半导体膜之CVD装置。与经由汽相磊生成法，所生长化合物半导体单结晶之MOVPE装置，虽有所分但装置构成上有很多类同点。
- CVD
有机金属CVD系统
OMCVD装置
D2307
CVD
等离子体增强CVD系统
系指在低压下，经反应性瓦斯之等离子体放电分解，可形成薄膜之CVD装置之总称。与热激励CVD法不同，具有可在较低温CVD反应之特点。将等离子体之产生能量，若以频率为主加以分频时，有高频等离子体，微波等离子体，ECR等离子体等各种装置。
D2308
RF CVD
高频等离子体增强CVD系统
系指在低压下，经由反应性瓦斯之高频辉光放电分解，可形成薄膜之CVD装置。经由装置构造，可分频为电容性耦合型及电感性耦合型。
D2309
CVD
电容性耦等离子体增强CVD系统
系指对设置在石英反应管之外侧或内侧相面对电极间，施加电压产生低压反应瓦斯之等离子体，经由等离子体分解可在晶圆上，形成薄膜之CVD装置。
D2310
plate CVD
多平行电极等离子体增强型CVD系统
系指对石英反应管内插入多数平行电极板，在此电极上设置有多数成垂直之晶圆，具有此一构造之电容性耦合型等离子体CVD装置。在相面对平行电极板间，施加高频功率产生低压反应瓦斯之等离子体，而形成薄膜
D2311
Diode plate CVD
二极管平行板等离子增强型CVD系统
系指反应室内有2片平行电极板相对，在内建有加热器之一侧电极板上设置晶圆，在互相面对之电极间施加高频电压，使之产生低压反应瓦斯之等离子体，使晶圆上形成薄膜之电容性耦合型等离子体CVD装置。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D2312
CVD
同轴圆筒型等离子增强型CVD系统
指对圆筒型外部电极内部，配置同轴状多面体之晶圆固定电极，此一电容性耦合等离子体增强型CVD装置。在二电极间施加高频电压，使之产生低压反应瓦斯之等离子体，而在晶圆上形成薄膜。
D2313
CVD
电感性耦等离子体增强CVD系统
系指绕在石英反应管外侧之线圈施加高频电压，使之产生低压反应瓦斯之等离子体，使设置在反应管内之晶圆上，形成薄膜之等离子体CVD装置。
D2314
CVD
微波等离子体增强型CVD系统
系指具有由微波导波管，与产生等离子体瓦斯导入口，经由微波激励之等离子体放电室，所构成之等离子体CVD装置。在经由微波所产生等离子流之下游，引进反应瓦斯，可在内建有加热器（）内，于低温形成薄膜。亦有将反应瓦斯直接引进等离子体放电装置之方法。
D2315
After glow CVD
隔离型微波等离子体增强型CVD系统
系指将经由微波将等离子体产生室与成膜室加以隔离，期间以输送通路加以连接之微波等离子体增强型CVD装置。因晶圆没有暴露在等离子体下，具有不受等离子体影响之低损害成膜之特点。
D2316
(ECR) CVD
ECR等离子体增强型CVD系统
是指由微波导波管连接而在周围设有磁场产生机构之等离子体室,与收纳晶圆之反应室,所构成之CVD装置.经由2.45GHz之微波与875G之磁场,利用离子源来产生高密度之等离子体,将反应性瓦斯加以分解,于低温下在晶圆上形成薄膜..
D2317
Photo CVD
光辅助型CVD系统
光CVD装置
是指经由光能将气体分子加以分解,于低温在晶圆片上形成薄膜之CVD装置.因所使用光源,可分类成雷射CVD装置与紫外线灯CVD装置.
D2318
Laser CVD
雷射辅助型CVD装置
是指经由雷射光能将气体分子加以分解,与低温在晶圆片上形成薄膜之CVD装置.因所使用雷射(由电子激励),与红外线雷射(由振动激励)等CVD装置.
D2319
lamp CVD
紫外线灯加热型CVD系统
是指由紫外线灯光装置,与内建有晶圆片加热器之反应室,所构成之CVD装置.紫外线光源要使用可产生200nm-300nm之紫外线,或200nm以下之真空紫外线波长范围之灯泡.总之,反应分子之光分解,是利用瓦斯分子之位能( )吸收紫外线,将其提高到电子激励状态,然后加以分解之原理.。
D2320
液体源输送系统
系指将Si或金属化合物等液体源，加以汽化并连续输送一定量至反应室之装置。惯用之起泡方法，系将输送量以汽化瓦斯之流量加以控制之方法（直接法)与以液体之流量加以控制，然后加以汽化之方法已被研发，依反应室之压力条件，或液体源之蒸汽压，分开使用。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D2321
Radio
高频工作线圈
系指当将Si或GaAs等之半导体晶圆加以加热之际，为要加热搭载此等被加热体之承受器，在其近旁所配置之感应线圈。对感应线圈施加高频电压，由于被加热体属于导体，因受电磁感应而产生涡电流，而以涡电流所产生之热来加热被加热体。
D2322
Cold wall
冷壁
在CVD装置中，系利用内建在反应室中来自加热器，或紫外线灯泡之放射热或高频加热，将晶圆加以加热之方法。因反应室之内壁温度不致成为高温，与热壁相对而称为冷壁。
D2323
rate
沉积速度
系指在晶圆片上每单位时间之生长膜厚。使用于CVD成膜方法之场合较多。
D2324
反应室清除
是指将附着在反映室内之反应残渣加以清除之方法。就干蚀刻（dry ）法而言，有利用瓦斯之化学蚀刻（ ）法，与等离子体清除（ ）法。
D2325
TEOS-
CVD
TEOS-O3大气压CVD法
TEOS-O3CVD法
是指以属于液体源之TEOS*作为反应源，以O3
作为氧化剂，在大气压下形成SiO2膜之CVD法。
具有优越之阶跃式覆盖范围，与高生产量
（-out）为期特点。有时以B、P作为残杂剂
（）。
* ate : Si()4，冠其头一
字而称为TEOS。
D2326
tube反应管
是指在CVD装置或磊晶生长装置等热处理装置中，反应部形状为管状者。是以高纯度石英管被用作反应管材。
D2327
/
反应室/反应器
是指在CVD、磊晶生长装置等所用之成膜室。可以收纳晶圆、晶圆保持架（wafer ）及承授器（）.特别以高纯度石英制作之管状者，称为反应管。反应室有时亦称为沉积室。
沉积室，蒸镀室
D2328
等离子体清除，电浆清除
是指在CVD装置中，经由反应气体离子体之产生，将附着于反应室内之膜，加以清除之方法。
D2329
TEOS CVD
等离子体TEOS CVD法
是指对低压CVD之反应室输送TEOS作为反应瓦斯，经由对电极间施加高频电压来产生等离子体，而在晶圆片上形成SiO2膜之方法。有时以B、P作为掺杂剂。
D2330
Pre-
预先清除室
是指在蒸镀或沉积前，将晶圆片表面加以清除之专用处理室。大都使用于多室腔型之装置。
D2331
Hot wall
热壁
是指在CVD装置中，利用由反应室之外侧加热器，来进行加热反应器内晶圆之方法。因此反应室内壁温度为高温，而称为热壁。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D2332
Metal CVD
金属CVD法
是指利用金属化合物之热分解，来形成金属膜之CVD法。为对应于细微图案之布线、填坑及平坦化，可选择WCVD、覆盖（）WCVD已被实用化。其它作为位障（）层之形成或布线材料，已经研发了好多种金属之成膜方法。
D2333
防止背面沉积
系指可防止在晶圆背面生成薄膜之构造及其方法。在金属CVD法中，反应瓦斯会迂回到晶圆背面，进行不完全成膜，此法大都为防止因剥离有时会产生微粒时使用。
D2335
CVD
金铜钻CVD
系以甲烷等碳素化合物为原料，籍以形成金钢钻薄膜之CVD。可以使用等离子体CVD法，热灯丝法，离子束溅射法等，此一金钢钻CVD可期待应用到制作高速、高温动作之半导体组件。
D2337
CVD
汽化液体源CVD
系经由液体原料加以汽化，使之在晶圆表面形成薄膜之CVD。最近用来形成BST、SBT等强电介体薄膜。
D2338
High CVD
高密度等离子体增强型CVD
系为提升阶跃覆盖范围，与增大附着速度，将等离子体密度增强之CVD。就等离子体产生源而言，有ECR或螺旋波可被使用。
2．4磊晶生长装置用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D2401
磊晶生长系统
是指承继晶圆之结晶性，可磊晶生长成单晶层之装置。受生长之气氛，可以大略分成分子束磊晶生长装置，液相磊晶生长装置。从材料面来观察时，可分类成与晶圆生长同一材料者，称为同质磊晶（）,与晶圆生长层不同材料者，称为异质磊晶（）。
D2402
beam
分子束磊晶生长系统
是指将凝要生长之材料，在10-8-10-9之超高真空中，以分子束状迎面奔向相对之晶圆片上，磊晶生长成单晶层之装置，具有可在低温制作杂质或结晶缺陷少之薄膜等特点。通常在成膜制程现场可附设，可以分析组成成分或观察结晶性之附属功能。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D2403
Gas beam
瓦斯源分子束磊晶生长系统
是指可将有机金属CVD装置（MOCVD）与分子束磊晶装置（MBE）两者之优弱点，加以取长补短之装置。因使用瓦斯源作为薄膜生产材料，除了有MBE之优异结晶控制性，也具备有MOCVD之可选择生长等特点。此一系统有时可称为有机金属分子束磊晶生长系统，或化学分子束磊晶生长系统。
Metal beam
有机金属分子束磊晶生长系统
MOMBE装置
beam
化学分子束磊晶生长系统
CBE装置
D2404
layer
原子层磊晶生长系统
装置/ALE装置
是指使原子层或分子层，一层一层加以控制使其生长之装置，就原子层之控制方法而言，可分类为定时（）法与饱和吸附法，将化合物半导体组件制作成极微细构造，用来获得量子效果。
D2405
Vapor phase
气象磊晶生长系统
是指利用高温汽相中之化学反应，可在晶圆片上生长硅、化合物半导体等单结晶之装置。此一装置可分类为大气压汽相磊晶生长法，有机金属汽相磊晶生长法，及光汽相磊晶生长法等装置。
D2406
vapor phase
大气压汽相磊晶生长系统
是指汽相磊晶生长可在大气压下进行之装置。此一装置通常使用于硅装置，特别是双载子（）装置等制程上。
D2407
vapor phase
减压汽相磊晶生长系统
是指汽相磊晶生长可在减压状态进行之装置。由来自晶圆之自动掺杂会减低，有可得峻峭之组成分布等等之优点。亦可称为低压汽相磊晶生长系统。
low vapor phase
低压汽相磊晶生长系统
D2410
phase
液相磊晶生长系统
是指将单结晶之子晶（seed），接触到含有生长材料之过饱和溶液，经由使二者间形成温度坡度，而在晶圆表面生长磊晶层之装置。
D2412
沉积室
是指在CVD装置，或磊晶生长装置，为形成薄膜之部分装置。此一称沉积室可收纳有晶圆，晶圆固定器，承受器（）及加热器等。
D2413
rate
生长速率
是指每单位时间在晶圆上之生长膜厚度。使用于磊晶生长法之场合较多。
D．3氧化用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D3001
氧化系统
是指可在晶圆片上形成氧化膜之装置。依温度，周围空气，压力以及装置之形成，可分成大气压热氧化、高压热氧化及等离子体阳极氧化等装置。为氧化膜厚之调节活为防止膜中之金属污染为目的，有时采取分压氧化，盐酸添加氧化，TCA(t ri ch lo ro－)添加氧化，DCE(di ch lo ro－)添加氧化等方法。
D3101
热氧化炉
是指经由将氧气或水分子，输送到反应室内被加热之晶圆，使之在高温下经热氧化反应，而在晶圆面上形成氧化膜之装置。
D3102
大气压热氧化炉
是指可在大气压附近形成热氧化膜之装置。氧化之方法有干式（在干燥氧中氧化），湿式（以水蒸汽氧化），以氢气来燃烧等氧化。就反应管及加热器之配置方式而言，可分为横型大气压热氧化，及纵型大气压热氧化等装置。
D3103
High
高压热氧化炉
是指可在高压下进行氧化之装置。与通常之热氧化比较，可谋求氧化温度之低温化及氧化时间之缩短化。
D3104
等离子体氧化系统
是指经由以化学较活性之氧气等离子体与晶圆间之反应，可形成氧化膜之装置。可在较热氧化法为低之温度形成氧化膜。
D3105
Rapid
急冷系统
是指在氧化，扩散及CVD装置中，可将炉内温度作急速冷却之电炉。若晶圆处理温度与晶圆取出温度不相同时，可能影响产量之提升。
D3106
in N2O(NO)
酸窒化酸化
是指使用N2O或NO瓦斯，将晶圆加以氧氮化之作法。经由本作法所得极薄氧氮化膜，因可由氮气原子改善接口特性，较以往之热氧化法所得氧化膜，可以提升电气特性。
in N2O（NO）
在N2O中之氧氮化
D3107
torch unit
外界火炬装置
是指使用热氧化装置来进行水蒸汽氧化时，在反应炉外燃烧氩气与氧气来产生水蒸汽之装置。水蒸气之量是以质量流控制器（mass flow ）.对氩气及氧气作精密之调整控制。其燃烧部亦可以称为高温装置。
D3108
tube
线性温度加热管，均热管
是指在利用各种加热源来加热似料之装置中，为避免加热源参差不齐之温度传入试料中，在加热源与试料间插入，籍以使加热温度均匀化之容器。通常都使用管状容器。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D3112
径向温度均一性
是指在热氧化、热扩散及CVD等装置中，位于炉之任意横断面，其温度分布之均一性。径向量度之均一性因与晶圆之面内温度有直接关联，例如，对于CVD膜生长是一很重要之因素。
D3113
Flat zone
热平坦区长度
是指具有将温度分布控制在控制在规定之温度偏差以内之领域长度。
D3114
time
温度复原时间
是指对预先加热反应管之均热部部分，从插入晶圆算起至获得插入晶圆前之均热状态所需时间。
D3115
温度断面图
是指位于晶圆筒形加热器反应管内部长方形方向之温度分布，是表示炉内温度与距离间关系之图案。
D3116
Boat
晶舟搭载机
是之为将放置试料之晶舟，送进抑或退出之自动搭载机。关于速度与停止位置之再现性，需要进行告精度之控制。经由将推进棒()拔出或插进反应管，来进行试料晶舟之插入或拔出。
D3118
Boat
晶舟
指将晶圆插入反应管或从反应管拔出时所用之冶金工具。通常是以高纯度之石英或加工SIC来制作之。在此一晶舟之槽沟上可设置大约25－200片左右之芯片，来进行反应处理。
D3119
Boat
晶舟输送机
是将多数之垂直型反应管排成一列，从自动化装置之一端。将晶舟沿着反应管列输送，针对着设置在各反应管内之晶舟处理机（boat ），将晶舟加以交接之装置。
D3120
Boat
晶舟升降机
是使用于晶舟输送装置之一种，将晶舟对上下（垂直）方向输送，针对各反应管将晶舟加以交接之装置。
D3121
Boat
晶舟处理机
是使用与晶舟输送之处理装置，是位在晶舟升降机与晶舟输送机间，将晶舟作垂直交接之装置。主要使用于垂直型反应炉。
D3122
晶舟匣盒传送机
是指将多数之垂直型反应管排成一列，从自动化装置之一端，将晶圆匣盒沿着反应管输送，针对设置于各反应管内晶圆自动移载装置，将晶圆
D3125
Ramp up
倾斜升温，每单位时间之温度上升
是指当晶圆送入热处理炉内后，依某一决定速度将温度倾斜上升至处理温度之谓。
亦是每单位时间之温度上升。相反，对某一决定速度将温度降下来者，称为冷却（cool down）.
D3127
torch unit
内部火炬装置
是使用热氧化装置来进行水蒸气氧化时，将氢气与氧气送入加工处理管( tube)内，加以燃烧之水蒸气产生装置。
D3129
seed
氧化种子酸化种
是指有助于氧化反应之原子，分子及离子等物质之总称。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D3130
tube
加工处理管，管壮反应器
是有关热处理装置，直接将高纯度瓦斯引进其内部，藉以将晶圆加以处理之管状反应器之总称。该管难以使用高纯度石英玻璃为主，就高温加工处理用而言，大都使用碳化硅（ＳiＣ）
D．4掺杂（）用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D4001
掺杂系统
是指为将Ｐ型或Ｎ型杂质原子，添加于晶圆片上之掺杂装置。有关杂质掺杂方法有热扩散( )法，雷射掺杂(laser )法，等离子体掺杂( )法及离子注入(ion )法。
4．1热扩散装置用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D4101
热扩散炉
热扩散装置
是能经由控制温度与流量，可将p型或n型杂质热扩散到晶圆片中之装置。由于反应管及加热器之配置方法，可分为横卧式热扩散，与竖立式热扩散等装置。
4．2雷射参杂装置用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D4201
Laser
雷射掺杂系统
是指将紫外领域波长之雷射光照射于晶圆上，经由光化学反应将掺杂物（）瓦斯加以分解，同时将照射部分局部加以溶解，可对此一部分进行掺杂（）杂质之装置。与离子注入法有所不同，缺陷之形成被加以抑制，因而为活性化之退火（）处理可弃之不用。就雷射而言，主要使用具有短波长之准分子雷射（ laser）。
4．3离子直入装置用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D4401
Ion
离子注入机
是指对具有运动能量之离子加以照射，为能将试料之物性加以控制之装置。此一装置是由离子源，提取电极系统，质量分析系统，注入室等所构成。
D4402
Low ion
低能量离子注入机
是指离子能量（1价离子）之最大值，在10Kev以下之离子注入装置。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D4403
ion
中能量离子注入机
是指离子能量（1价离子）之最大值，超过10Kev而在以下之离子注入装置。
D4404
Low ion
小电流离子注入机
是指线束电流量之最大值，未超过0.5mA之离子注入装置。
D4405
ion
中电流离子注入机
是指线束电流量之最大值，在0.5mA ~ 5mA之离子注入装置。
D4406
High ion
大电流离子植入机
系指线速电流的最大值，在5Ma以上的离子植入装置。
D4407
High ion
高能量离子植入机
系指离子能量（1价离子）的最大值，超过的离子植入装置。
D4410
Ion
离子源
系形成各种元素等离子体的部分。因放电种类的不同，有直流型、高频波型以及微波型，目前最适用者为弗里曼型，系属于直流型。此一离子源，系利用由磁场中的灯丝所放出的热电子，来形成离子。
D4411
Ion
离子植入，离子移植
系指将被加速离子植入半导体基片的方法。通常利用硼（B），磷(P)，砷(As)等离子，作为引进用杂质。其控制性与再现性相当优异，被广泛用作取代以往的热扩散法，作为半导体基片的杂质导入法。
D4412
Ion beam
离子束
系指将无秩序状态的离子，加以控制而获得有方向性且步调一致的离子流。中性的原子或分子，当失去电子而被离子化状态下，各个离子系未具有方向性，且有无秩序的举动。
D4413
Mass
质量分解力
系指在质量分析系统中，能将质量数很接近的2种以上的离子，加以分离的能力限度。质量分解力可以质谱上线速电流量的半值宽，与其离子质量数之比来表示
D4414
Wafer-to-wafer dose
晶圆间离子植入的均质型
系在同一植入条件下，对多数晶圆片进行植入离子，经算出每一片晶圆的平均面电阻系数，根据此一电阻系数求得各晶圆片的偏差值者。亦称为再现性，同为重要的评价项目。
D4415
Wafer twist
晶圆扭转
系将晶圆片上置于晶缘固定板()上时，由基准位置将主定向平面( flat)，以晶圆面中心点为轴，加以旋转一定角度。此一角度称为扭转角(twist angle)。
D4416
Wafer disk
晶圆圆盘
系指为能使晶圆可以分批处理，能将其数片~十数片，加以装填的圆盘。为要确保离子注入的均质性，与为避免因热损及晶圆，可以使其高速旋转又可同时作业并进运动。
D4417
Wafer tilt
晶圆倾斜
系指当进行离子注入之际，将晶圆加以倾斜者。由晶圆中心竖立的法线达到晶圆中心的线速所成角度，称为倾斜角。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D4418
Wafer dose
晶源离子注入均质性
系指当晶圆被注入杂质的离子时，为表示晶圆内究竟注入何种程度均质性的指针。就其评价方法而言，通常在退火后，经由4探针法，在晶圆面内进行数十点的面电阻系数分布测试，经由统计处理求得偏差值。
D4419
Wave guide
离子波束引导管（腔），导波管
系指在质量分析系统中，为时离子波束中通过,所设置的真空腔( )。为防止有不必要波束的碰撞削去其内壁，设置有内衬保护板(liner)者为数不多。有时亦称为分析管(腔)。
分析管（腔）
D4420
能量污染，杂质能量
系指离子能量位在可作目标值以外的离子能量总称。因离子与残留气体（中性粒子）的碰撞，经电荷交换所产生离子，或分之离子的分解所产生离子，变成非目标能量而植入晶圆者。
D4421
电子抑制器
系指当将离子植入靶子的过程中，将与各种电极或孔径相碰撞。籍电场或磁场将该时产生二次电子，不至于从产生地点泄漏到外界的机构。为要抑制产生二次电子所加的称为偏压。
Base
偏压
D4422
flood gun
淹没式电子枪，电子流枪
系指对晶圆植入离子时，为防止在晶圆片上产生正电荷( up)，可对晶圆提供低能量电子，籍以中和的机构。有时亦称为电子( show)流枪，或电子障壁。
D4424
flat / flat
定向平面对准器
系指将晶圆搭载于晶圆固定板之际，将晶圆的定向平面()，或将缺口(notch)加以对准所定位位置的机构。由此对准器可以决定离子植入时的扭转角(twist angle)，与晶圆倾斜(wafer tilt)共同决定离子植入晶圆时的入射角度。
D4425
旋转式（离子）植入
系指将晶圆依其经晶圆面中心点为轴，作为旋转进行的离子植入。有时离子植入中晶圆并不旋转，植入一定量后加以旋转一定角度，然后再继续植入者，称为步进旋转植入法。
D4428
tube
加速管
系指经由加速方式，设置在分析系统先后，可给与离子能量的管子，系由绝缘物与电极所构成，通常是属多段构造。对各电极施加以分割的加速电压，由形成在电极间之电场来加速离子。
D4429
加速电压
系指为能对经由提取电压所加速的离子，给予一定离子能量，对加速管所施加的电压。离子能量可加速电压与提取电压的总和，及离子价数来决定。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D4431
Cross
交互污染
系指经由离子注入装置构成材料的污染。是由晶圆保持夹以及晶圆附近的金属制品等，受到离子波束的溅射，而引进晶圆内部的污染者。在同一装置内一连串不同制程间，各个制程所使用瓦斯或生成物，污染到其它制程环境者。随着组合设备工具( tool )的普及，此一用语的使用日益增多。
D4433
Post
后段加速系统
系指在质量分析系统之前，将以20-40 Kev之低加速能量给予离子波束，而在质量分析系统之后，加速至所需要能量的方式，后段加速方式可以小型的质量分析磁铁，可实现较高能量的离子注入。
D4435
Solid
固体蒸发源
系指要产生之际，可搭配与离子源而被用作固试料的蒸发源。试料在真空中被加热器加热至数百度oC,变成蒸汽而被引进等离子形成室。主要从安全性的观点，此一固体蒸发大都用作替代有毒瓦斯。
D4436
level
污染量
系指关于晶圆中的注入量，经由SIMS,原子吸光分析等之定量分析，可利用下述数式来计算。污染量[%，ppm]=混进离子的注入量（atoms/cm3）
所盼离子的注入量( atoms/cm3)
就离子注入装置而言，有时也可用混进离子波束电流，与所分离子波束电流的比值来表之。
D4439
water
去离子水冷却
系指对离子注入装置的高电压端内，及终端站系统的去离子水冷却，去离子水冷却因具有绝缘性甚佳为由被用来替代氟氯烷(freon),而被普遍使用。若考量耐电压或波量测错误有必要将去离子水之比电阻作适当之管理。
D4440
beam
扫描波束电流
系指以离子波束加以扫描，使其注入晶圆时之波束电流值。以离子波束加以扫描时，离子波束因受离子注入装置遮光罩之限制，仅被限制领域之离子到达晶圆，成为较点状(spot )照射为少之电流值。
D4442
前置加速系统
系指从离子源被提取之离子波束，在质量分析系之前，给予必要之加速能量，经质量分析后，对靶子注入离子之方式。
D4443
Ion
离子源磁铁
系指以协助原子，分子之电离为目的，而对离子源施加磁场之磁铁。大都被当作正交电磁场或不均一磁场（镜面磁场）来使用。其磁场之强度以离子源之种类而定。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D4444
串接静电加速器
将置于大地电位之离子源，所产生的负离子，经由静电场加速后面向正电位之高压部，又被设在该部之电荷变换器换成正离子，然后再面向大地电位，进一步被静电场加速，而获得所需要能量离子加速方式之离子植入装置。系为形成高能离子时使用。
D4445
穿隧效应/沟道效应
若沿着结晶轴或结晶面，将离子加以照射时，大多数离子不会与结晶中之原子核或电子碰撞，而侵入到结晶内部。
此一过程称为穿隧效应（）。离子沿着结晶轴侵入者，称为轴穿隧效应，离子沿着结晶面侵入者，称为面
穿隧效应。
D4446
up
充电，使绝缘物带电
系指注入离子中，晶圆片上之绝缘物会带电之情况。为此组件在离子植入中，有时会劣化甚至被破坏。为防止这一情形发生，大都设有淹没式电子枪（ flood gun）.
D4447
离子植入室
系指对晶圆进行离子植入的处理室。当植入离子时，为避免室内某瓦斯原子与离子加速，因碰撞所产生中性粒子，被打进晶圆内而产生离子植入量有维持高真空的必要。为达成高生产量（high ）,亦准备真空预备室或2套离子植入室的设备。有时亦可称为处理室或打靶室。
处理室
打靶室
D4448
tilt angle
多倾斜角植入
系指植入离子之际，对一片晶圆将倾斜角多次边变换边进行离子植入者。再离子植入中倾斜角系被固定，植入一定量后，再移至下一个倾斜角继续进行注入。通常在植入中。晶圆系连续在旋转。
D4449
wafer size
适用晶圆尺寸
系指装置所能处理的晶圆尺寸。因受到终端站机构等限制，可进行注入处理的晶圆大小，就受到限制。通常，可处理晶圆的直径以被称呼之直径表之。
D4450
Dose
剂量
系指植入试料或被植入每单位面积之离子数目。
D4451
scan
混合式扫描
系指可将波束扫描（静电扫描，磁铁扫描），与机械式扫描加以搭配，可得离子植入很均匀之扫描方式。例如X方向之扫描，系将晶圆盘高速加以旋转，同时利用电场或磁场，将离子波束就Y方向加以扫描。
D4452
Batch-to-batch dose
批次间之注入均质性
基本上系与晶圆间之注入均质性（再现性）同一意义。以批处理进行注入离子之场合，每一批搭载有评价用晶圆，与晶圆间均质性之场合同样，可以求得各批次间之偏差。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D4453
beam
平行波束
系指将离子波束加以扫描植入时，对晶圆表面之入射角，系属于相同之离子波束。此一离子波束可分为两次元平行化加以扫描的方式，与一次元平行化之混合方式。
D4454
Beam
波束安定性
系指在产生离子波束之状态下，表示装置安定性之指针。当操作人员没有操作装置的状态下，在一定时间内以波束电流之变动量表之。
D4455
Beam
波束能量
系指构成离子波束，其离子本身所具有之能量。特别关于靶极，系指离子波束所具有运动能之情形较多。此时，离子系以波束能量被注入试料中。
Ion
离子能量
D4456
Beam
系为要聚焦离子波束，具有透镜作用之部分装置总称。此一波束聚焦系统，有静电电极透镜，静电4重极透镜，磁场透镜，及磁场4重极透镜等等。
D4457
Beam
波束电流
系指将离子波束之量，以离子在单位时间搬运之电荷量，亦即以电流来表示者。特别关于靶极，系指照射于试料之离子波束量。由多价离子所构成离子波束之场合，有以电流量本身来表示之场合，与以其离子之价数除以电流量之商值来表示的场合，分别以eA( )及pA( )表之。
Ion
离子能量
D4458
Beam
波束滤波器
关于植入多价离子时，为去除因离子波束与残余瓦斯间的碰撞，而产生低能量成分，所增设适当位障（ )之机构。多价离子之植入，系在有必要对装置注入最大加速电压以上之能量时使用。
D4459
提取电压
为要提取在离子源所产生的离子，是指在离子源与提取电极的系统间，所施加的电压，经此一电压，可决定从离子源所提取的离子能量。
D4460
提取电极
是指与电弧室缝隙相面对为要将离子源所产生的离子，加以提取出来的电极。为要使离子波束具有聚焦作用，通常是由2片电极所构成。
D4461
法拉第系统
是指由连接到抑制电极及电流积分器的法拉第帽极，及靶极等所构成，可以用来将入射靶极的离子波束电流量，加以检测出来的装置。因二次放射电子经电子抑制器，又会回到法拉第帽极，电流量测试不致产生误差。
D4462
晶圆固定台
是指单片晶圆处理的终端站，将被送到达的晶圆加以保持住，且将晶圆设定到晶圆台，通常圆晶圆固定台有冷媒循环，将晶圆加以冷却。此外，固定晶圆的固定台，在离子注入时，将成为法拉第系统的一部分，而发挥其功能。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D4463
鉴别孔隙
是指位于分析磁铁的焦点位置，是为挑选所离子种类的缝隙。缝隙的大小成为质量分析上，可决定分解能力的重要因素。
D4464
分析磁铁
是指从包含有各种离子波束中，仅可将必要的离子中加以提取出来的磁铁。不同离子中在磁场内，各个依从其运动量而描述不同的轨道。利用此一特性，经由调整分析磁铁的磁场强度，仅可将所要的目标离子挑选出来。
D4465
Mask
孔板，障板
是指当以扫描离子波束植入离子时，为要决定植入领域，配置在法拉第系前的孔径。其孔径尺寸可选取其扫描领域能覆盖包含晶圆周围数mm即可。
D4466
scan
机械式扫描
是将离子波束加以固定，将装填多数片晶圆的圆盘，对X,Y方向作机械式扫描，可获得注入很均匀的扫描方式。就一般而言，将旋转圆盘作上下或左右并进运动。
D4467
Radio linac
高频线性加速器
系将离子源引出之离子，利用高频所加速方式之离子注入装置。在大地电位之短小线束中，较低之电压经由高频（RF），反复多数次将离子加以加速，可以形成MeV位阶之高能离子。此一加速器有将多数RF线性加速方式，与以单一四重极将离子反复加以加速与聚焦RFQ型加速方式。
Radio
高频四重极加速器
D4468
flood gun
淹没式等离子枪
系指具有与淹没式电子枪（ flood gun）同样之目的，能对产生在晶圆上之正电荷加以中和之机构。系利用等离子体仅将低能量之电子，加以引进晶圆上。与淹没式电子枪比较，较不容易产生过剩之电子。
D4469
Final engry
终极能量磁铁
系指仅将作为目的能量之离子束，加以一定角度偏向之磁铁。其原理数以分析磁铁同样，此一目的系为去除能量污染（ ）而设。
D．5退火处理（）用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D5001
退火处理
系利用各种加热源，来进行试料之热处理。因为加热源种类之不同，可以分类为激光退火处理、热放射退火处理、电子波束退火处理、闪光灯退火处理、及电炉退火处理等装置。
5．1退火处理装置用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D5101
Laser
镭射退火处理机
系以激光光照射晶圆表面，，或将形成在晶圆片上之薄膜，在局部且短时间内，进行退火处理之装置。因激光光照射方式之不同，可分为脉冲激光退火处理、CW激光退火处理等装置。
D5102
Pulse laser
脉冲镭射退火处理机
系指使用红宝石，YAG,准分子激光（ laser）等，将脉冲时间20∽50ms,功率密度107∽108w/cm2之脉冲振荡激光光，照射到晶圆片上，在1us以内之短时间内，可进行退火处理之装置。此一装置所能退火处理之面积较大，杂质之活性率有偏高之特点。
D5103
CW( wave )laser
连续波镭射退火处理机
系指使用氩（Ar）、氪（Kr）\CO2以及YAG激光等，将功率密度106W/CM2之连续振荡激光光，照射于晶圆片上，在ms等级之短时间内进行退火处理之装置。此一装置因不易产生杂质之再分布，具有可形成较浅接合之特点。
D5104
beam
电子波束退火处理机
系指经由高能电子波束之照射，将晶圆表面，或形成在晶圆片上之薄膜，作局部且在短时间内，可进行退火处理之装置。经由电子线之照射放射方式，可分成脉冲电子波束退火处理，即CW电子波束退火处理等装置。
D5105
红外线退火处理机
系指使用百热线或百热灯，将所产生放射光照射于晶圆片上，可在短时间内进行加热处理(Rapid ;RTP)之装置。经由放射光照射之处理不同方式，可分为卤素灯退火处理、弧光灯退火处理、石墨加热器退火处理等。
D5106
lamp
卤素灯退火处理机
系指使用路数等作为加热源之退火处理装置。此一装置对加热退火处理（Rapid ;RTA）
D5107
Flash lamp
闪光灯退火处理机
系使用氙气闪光灯，将功率密度104∽105W/CM2之高能光照射于今片上，在数十um∽ms之短时间内，可进行退火处理之装置。此一装置具有一次可在大面积上退火处理，及杂质再分布较少之特点。
D5108
Arc lamp
弧光灯退火处理机
系指使用弧光灯作加热源之退火处理装置。可再ms极短时间内进行退火处理。
D5109
石墨加热器退火处理机
系指将石墨加以烧结，且利用其当作加热源，可作为短时间内作退火处理之装置。
D5110
电热炉退火处理机
系利用百热线等加热气，作为所希望之温度气氛，经由此一热传导加热晶圆片，籍以进行退火处理之装置。由于电热炉构造之不同，可分为横卧与竖立型电热炉退火装置。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D5111
退火处理室
系指构成退火处理装置之要素中，为加热对象物所设置空间或构成品。此一构成品有石英制及金属制。
D5112
退火处理温度
系将试料做作加热处理时，可是该物质构造或物性安定化之处理温度。就晶圆制程而言，系指为进行非晶质层之单结晶化，热压结（），接口之特性提升。恢复变形等之热处理温度。
D5113
up and down
温度升降剖面图
系指将晶圆等作热处理时，可显示其升降温度，，与处理时间间关系之图案。为提升热处理之再现性，为防止产生晶圆片之扭曲、变形、，有时对升降温度图案进行程控。
D5114
Ramp rate
升降温速度/斜坡率
系指在退火处理之加热装置中，将对象物加热之所希望温度之际，其温度之上升与下降速度。
D5115
热压法/烧结
系指为要获得欧姆接触，所进行之热处理。多半使用于A1电极之处理。可再100-500℃之非活性瓦斯，及氢气之气氛中进行十～数十分钟之热处理.
D5116
Laser
镭射波束均匀化机
系指可将准分子镭射( laser )等高斯分布( )指波束剖面，跨于广泛围变成均匀波束强度分布之光学装置。经由光学可变焦距透镜（zoom lens），可获得任何长方形而均一波束，因此，可搭配在镭射退火处理装置内。
D5117
Lamp power
照射灯功率控制
系指为要获得所希望之温度或膜厚，将施加于加热源之电流或电压，加以调整控制。经由控制电路之构造，使用变压器或SCR来调节所供应之功率.
D5118
退火处理之均匀性
系指经由退火处理，所产生晶圆面内或晶圆面间之温度偏差。对于使用于热电偶来直接测试晶圆，火车试离子注入后之退火处理均匀性，可经由测试薄层电阻（sheet ）来求得之。
D5119
Multi cycle
多循环退火处理
系指在退火处理室内，对所要处理之晶圆，连续施加多循环之退火处理。此法可经由切换温度或空气中之瓦斯种来实行，可用来控制扩散层或薄膜之构成。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D5120
Multi step
多步骤退火处理
系指在退火处理中，将温度改变之处理方法。此法可以将扩散层或金属膜中的扩散种类的分与结合，导入所希望的状态。
D5121
stage
冷却阶段载物台
系指为要冷却退火后的晶圆到所指温度的载物台。此法有使用石英的水冷却板或直接将空气吹上去的方法。
D5122
Lamp
灯泡系列
就灯泡加热装置而言，虽然使用以棒状、球状等形状的灯泡作为光源，在此是指为实现处理性能，其所采用种种灯泡的排列方法。
D5123
发射率校正
系以辐射温度计测试晶圆之际，经由对测试值成为误差的原因，而将测试之表面状态（薄膜或粗糙镀等），就发射率的变动加以补偿校正的结构。
D5124
氧气浓度监控器
氧气浓度属于制程参数的一种，在此，是指测试反应室内氧气浓度的构造。可用来调查残留在加热空气中的氧气浓度，或在所期望氧气浓度进行热处理。
D．6抗蚀刻处理用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D6001
抗蚀剂处理设备
系指为要在晶圆处理制程中，将晶圆加以涂敷抗蚀剂，相应或烘烤等装置之总称。这一装置可分类为涂敷、显影及烘烤等装置。
6．1涂敷装置用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D6103
Edge bead /E.B.R
边缘球状物去处
当晶圆表面端部与每一制程的位置确定部接触时，因抗蚀剂的缺角而产生灰尘。为避免灰尘的产生，将晶圆周边的抗蚀剂，须以溶剂加以除去之。通常之涂敷抗蚀剂完成后随即加以进行。
D6104
unit
升降机单元
系指可进行上下方向之传送、可调整输送高度的单元。经由此一单元，可将涂敷显影装置与曝光装置加以连接起来，使涂敷-曝光显影制程成为连贯性。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D6105
/ for
自动风门/涂料气排气
系指在抗蚀剂的涂敷与显影时依从制程程序（ ），可自动将碗盘内的排气量加以控制的机构。此一机构从单纯将排气口加以开闭的机械方式，直到最近的数字式控制方式都有被使用。此一数字式控制也称为时序风门。
for
显影剂排放
时序风门，时序排气器
D6106
化学放大型抗蚀剂
系指当作抗蚀剂中的感光剂，因含有酸发生剂，经由曝光所产生的酸，对往后的热处理（PEB）将感应触媒反应，可促进对显影液之不熔化（负性型）或可溶性（正性型）的抗蚀剂。针对Deep UV，准分子()，X线及电子线曝光等，将各光源亮度的不足，拟以抗蚀剂的高灵敏度化来加以对应者。
D6107
Bowl and
碗盘温度与湿度控制
系指当涂敷抗蚀剂之际，为提升晶圆间的均一性，宜将属于膜厚变动因素的温度，确保在一定。
D6108
Bowl rinse
碗盘冲洗
系指当涂敷之际，为保持碗盘内的清洁，或使保养简单化，喷出少量溶剂，可简单的加以洗涤者。
D6109
Comet
彗星状模样
系指对晶圆涂敷的抗蚀剂后，在晶圆表面上显现彗星状模样者。此以情形系因抗蚀剂中的气泡或杂物所产生。
D6110
Suck back
吸回
系指在抗蚀剂涂敷装置中，为防止抗蚀剂从喷嘴口垂直滴落，将滴落及喷嘴的抗蚀剂加以吸取者。
D6111
edge bead
晶圆边缘曝光球状物去除
系指将附着在晶圆边缘的抗蚀剂，加以去除的一种方法，为能使显影时将边缘部位的抗蚀剂加以去除，而对晶圆边缘加以曝光。与利用药液
D6112
辉纹
系指在晶圆面上涂敷抗蚀剂时，因膜厚之不均匀，在面向晶圆之周边产生放射状之不均一线状模样。
D6115
speed
自旋马达之回转数
关于自旋涂敷机（spin ）及自旋显影机（spin ），是指将晶圆加以旋转之马达回转数，通常以r.p.m或rad/sec表之。自旋涂敷时之抗蚀剂膜厚系依存于回转数，因此，回转数之安定性，对膜厚之均质性与再现性而言，是一重要因子。
D6117
back
溅射回来
Mist in bowl
碗盘内雾状
系指在涂敷抗蚀剂中,从晶圆表面飞溅出去的剩余抗蚀剂,再度溅射()附着在晶圆面上者.或者系显影剂喷出来时的微细滴液,干后再附着在晶圆面上者.多半成为灯丝状的残渣,可以显微镜观察它,或利用激光光的盘面检查加以观察.类同的用语有碗盘内雾状.
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D6118
对准中心，定心
系指将晶圆的中心对准自旋转夹头上的位置.晶圆中心的偏移,将影响到自旋涂敷机对抗蚀剂膜厚均质性的主要之一.
D6120
Drain box
废液回收箱
对晶圆的抗蚀剂涂敷及显影,税经由旋转来进行.此时对晶圆使用过量而滴下的药液自然成为废液,在涂敷或显影部的直接下方加以回收的容器者.因使用有机药品需要具备有局部排气功能.有时废液不在设备下方回收,而采用排出到工厂设备或个别回收容器(装置外)的自动排放方式
D6121
喷嘴
系指能喷出抗蚀剂或显影液的先端部分.有不锈钢或特弗龙树脂。
D6123
rinse
背面冲洗
系指在涂敷抗蚀剂时,将迂回而附着在晶圆背面的抗蚀剂,以冲洗夜将抗蚀剂加以去除的方法。.
D6124
Anti-
防反射涂膜
系指具有吸收或衰减紫外线（UV）光的特性，为减少在曝光时产生驻波或晕光作用（），在抗蚀剂膜的上面或下面位置，所涂敷之膜。有时简置于抗蚀剂的上面者，称为TOP ARC，而置于抗蚀剂下面者，称为-ARC。
D6125
Pre-
预先配药
系指有关自旋式处理装置,在对晶圆涂敷显影液、抗蚀剂等药液之前，事先将配管中的药液排出，更换新装药液的动作。类似的用语有假配药及原始配药。
Dummy
假配药
Prime
原始配药
D6126
Micro
微细气泡
系指混进在抗蚀剂或显影液的微细气泡。系由溶入药液的加压流体，因压力变化而气化者。此一微细气泡将成为涂敷偏差，或不良显影的原因。
D6127
coat / vapor
黏着力促进膜涂敷/气相底层涂料
系为提升抗蚀剂与晶圆的黏着力为目的，所施加的处理。特别是正性型的抗蚀剂与氧化膜的场合，其效果最为明显。通常将HMDS*(CH3)(CH3)3变成蒸汽状来涂敷的。
D6128
化学药剂储存室
系指为供应抗蚀剂涂敷、显影等装置所使用药液（诸如，抗蚀剂、显影液、冲洗液等），将此等药液集中储存在装置内或附近的储存室。因该室有收藏有机药品，大多有安装系器排气阀。
D6129
抗蚀剂温度控制
系指在涂敷抗蚀剂之际，为提升均质性，将抗蚀剂的温度加以控制者。起设定温度，依周围空气温度与晶圆温度，以及抗蚀剂中的溶剂特性，采用最妥当温度。
D6130
抗蚀剂膜厚均质性
系指表示涂敷在晶圆上的抗蚀剂膜厚的偏差。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D6131
unit
接口单元
系进行X ,Y , Z方向的输送，可以调整输送位阶之单元。经由涂敷显影装置及曝光装置连接，可以将涂敷（），保管显影制程加以一贯化。
6．2显影装置用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D6201
显影机
在抗蚀剂处理装置中，系指对晶圆上涂敷的抗蚀剂，作图案曝光后、为能将其显影的装置。依处理的方式可分为自旋（spin）式，浸渍（dip）式，喷涂(spray)式。
D6202
Spin
自旋显影机
系指经由将晶圆加以旋转，来进行抗蚀剂的显影、洗涤及干燥的装置。依晶圆的旋转状况可分为旋转型与静止型，这一装置由药液供应系统，自旋马达与碗盘的搭配所构成。有时因使用溶剂或苛性水溶液的不同，形式也随之而异。
D6204
Spray
喷涂显影机
系指将抗蚀剂加以曝光后显影之际，将显影液以泵加压，由药液供应管先端的喷嘴，可对晶圆表面喷出雾状液的装置。经常有新药液供应到抗蚀剂的表面，因而可缩短显影时间。
D6205
显影液温度控制
系指将抗蚀剂加以显影之际，为提升喷涂的均质性，将显影液的温度加以控制者。其设定温度依抗蚀剂与显影液的特性，作最妥当的选定。
D6206
显影均质性
系指显影结果的均质性。就评价方法而言，有线宽均质性（CD）均质性。何谓CD均质性，通常先决定临界尺寸（ ；CD），可表示期线宽再显影后到底偏差多少？何谓膜减薄之均质性，系表示不经由图案形成（）曝光而直接进行显影时，抗蚀剂膜厚之减少偏差。
C D
C D均质性
D6207
rate
显影速率
虽然系指显影速度，因依显影液浓度，抗蚀剂的灵敏度及曝光量而异，通常先以一定的抗蚀剂，曝光量，显影液种及浓度，来决定基准显影速度，作为显影液劣化的判断基准。
D6208
Scum
浮渣
系指在显影后，残留在晶圆开口不的抗蚀剂浮渣。此一浮渣可分为单独残留在晶圆上者，于附随而残留在抗蚀剂底部者。
D6209
多重干涉效应
系在曝光时，对抗蚀剂的入射光，与来自晶圆的反射光，互相干涉而产生驻波。系指经由此一影响，而伴生抗蚀剂膜厚的变动，导致线宽变动现象。此一现象也称为驻波效应或摆动效应。
wave
驻波效应
Swing curve
摆动曲线效应
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D6210
浸置式显影
系抗蚀剂显影的一种手法，利用显影液的表面张力，在晶圆上盛满显影液，将晶圆处于状态下，进行大约30~60的显影者。
D6211
Pre-wet
预先沾湿
系在喷涂显影或浸渍式显影之前，以水或稀薄的显影液喷洒晶圆表面数秒，使抗蚀剂的表面状态能适应显影液。
D6213
Dry
干式显影
系利用干式蚀刻法，来形成抗蚀剂图案的方法。与湿式显影方式比较，可以避免底子反射等问题。此一干式显影有如同甲硅烷基化（）
D6214
化学吸附过滤器
系指有关使用化学放大型抗蚀剂的制程中，为避免受空气中的盐基成分（特别指气）导致解像度不良为目的的空气洁净用过滤器。就其吸附方法而言，有使用与酸间的综合反应，或离子交换反应者。
6．3烘烤装置用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D6301
unit oven
烘烤炉
经由对晶圆加热,为能将晶圆表面之水分加以去除,对晶圆表面所喷涂之抗蚀剂,在涂敷制程或显影制程之前后,所作加热处理之装置.因加热方式之不同,分类成电阻加热、红外线加热及热风加热等方式。
D6302
IR oven
红外线烤炉
为要作为加热源，系以配置红外线加热器或红外线灯，来进行加热之装置。
D6303
Hot plate oven
热平板烘烤炉
系指在经过表面处理之平坦金属板上，可将晶圆加以加热之装置。通常在金属板下安装有加热器，而周边设有排气孔。
D6304
烘烤温度均质性
系指在烘烤时烘烤温度之钧质性。其计算式请
参阅D6130。
D6305
Chill plate
急冷板
是指在晶圆热处理后，用作冷却用之平坦金属板。平板经由循环之冷却水来冷却之。最近已有利用珀耳帖效应之电子冷却装置上市。
D6306
Post pre bake
曝光后显影前的烘烤处理
系指为减轻晶圆经单一波长曝光后经由驻波效应，导致抗蚀剂图案之变形，在曝光后显影前所进行之烘烤处理。
D6307
bake
脱水烘烤
作为抗蚀剂处理之先前处理，系为加强抗蚀剂与晶圆之黏着性，将水分加以去除之烘烤处理。
D6308
Pre-bake
预先烘烤处理
在晶圆上涂敷抗蚀剂后，为蒸发掉喷涂膜中之残留溶剂，及强化喷涂膜与晶圆之粘着性，所实施之热处理。此一处理因在曝光后进行，宜在聚合体不致重合下，或添加物不致热分解之温度下进行。有时亦称为软性烘烤处+理。
Soft –bake
软性烘烤处理
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D6309
bake
临近烘烤处理
有关晶圆之热处理，非将晶圆吸附在平板上，而系将晶圆与平板间经由衬垫，隔离0.1~1.5mm之间隙,靠放射热来加热之方式.
D6310
Post-back/after-back
事后烘烤处理
Hard-back
硬性烘烤处理
经由显影形成抗蚀剂图案后，为要蒸发掉残留在抗蚀剂膜中或晶圆表面的显影液，冲洗液，或强化抗蚀剂之硬化与晶圆间之黏着性，所进行的热处理。处理温度，时间亦设定在抗蚀剂图案的形状不致软化变形的范围。有时亦可称为硬性烘烤处理。
Hard-back
硬性烘烤处理
D6311
抗蚀剂熟化系统
系为要将显影后之抗蚀剂图案形状，能维持到更高温度的装置。在显影后经由加热，紫外线照射或两者并用的安定化处理。
D6312
抗蚀剂热稳定性
系在晶元上形成抗蚀剂图案时，其图案之断面形状对往后所加的热，可否维持至初期状态之何种程度，所能展示之程度。总之，所谓好耐热性，高耐热性，是指可保持图案形状至更高温度。
6．4蚀刻剂剥离装置用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D6401
抗蚀剂剥离系统
系将成为不要之抗蚀剂膜，从晶元上加以去除的装置。
D6402
Wet type
湿式抗蚀剂剥离系统
系将完成蚀刻（）的晶元片，浸在装有抗蚀剂剥离液的槽内，是晶元片上的抗蚀剂，加以剥离去除的装置。
D6403
抗蚀剂剥离液
系指关于细微加工制程中，完成蚀刻后，将晶元上不再需要的抗蚀剂，加以剥离去除之溶液。此一溶液大致上可分为，将抗蚀剂氧化后加以去除之无机系剥离液。
D6404
抗蚀剂灰化系统
系可将晶元片上之抗蚀剂，在气相中加以灰化去除的装置。
D6405
ozone asher
抗蚀剂臭氧灰化机
系将高浓度的臭氧，引进灰化处理，使臭氧与抗蚀剂引起化学反应，籍以进行灰化的装置。
D6406
等离子体抗蚀剂灰化系统
使产生反应性瓦斯的等离子体，利用该等离子体将抗蚀剂加以去除的装置。通常，此法系使用氧气等离子气体。
D6407
Down flow asher /down asher
下游灰化机
系将晶元处理室与瓦斯激励室（等离子体放电室）加以分开，仅对除去荷电粒子之反应种(),进行灰化之装置。
D6408
asher
圆筒型灰化机
系指批次（batch）处理型灰化装置。将反应瓦斯引进圆筒型之石英室内，且经由施加高频功率，来进行灰化之装置。其电极形状有面对型与同轴型。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D6409
Photo
光激励灰化系统
系将反应性瓦斯引进灰化室中，以紫外线等光照射到瓦斯或晶元片上，边促进反应性瓦斯与抗蚀剂间之化学反应，边进行灰化之装置。
D．7曝光用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D7001
曝光
系指将涂敷在晶元上之抗蚀剂，形成电路图案之过程。通常针对上一制程说星辰所形成的电路图案加以对准位置，形成次一制程的电路图案本过程通常都在柔和的黄光气氛环境下进行，因此俗称为黄光制程。
7．1曝光装置用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D7101
光对准曝光器
系从对光抗蚀剂有灵敏度的可视光挑选紫外线，来进行对准曝光之装置，就光源而言，系使用超压水银灯（g线：436nm,h线：405nm,I:365nm）或准分子雷射
( laser )(XeCL:308nm,KrF:248nm,ArF:193nm)通常波长愈短，解像力愈高。
D7102
-
密接-近接对准曝光器
系指可以1台装置选择性地，将遮光罩与晶元加以密接或近接对准之曝光装置。有时为区别对可密接曝光之装
置，称为近接对准曝光器。
D7103
投影对准曝光器
系为要将扫描在标线片（）之图案，对准投影与晶元且使其曝光，所采用之光学投影系统之曝光装置。
D7104
扫描型投影对准曝光器
系经由光学投影系统，将遮光罩图案对准投影到晶元，与光学投影系统相对，将遮光罩或晶元加以同步扫描，使遮光罩图案全部曝光在晶元的曝光装置。
D7105
镜面投影对曝光器
系指光学投影系统主要以镜面所构成之对准曝光装置。
D7106
投影对准曝光器
系扫描式镜面投影对准曝光装置之统称。
D7107
布进投影对准曝光器
系指针遮光罩（制版片图案）之投影像反复将晶圆加以布进曝光之投影对准曝光器。
D7108
步进机
系布进式投影对准曝光装置之统称。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D7109
Lens
透镜投影对准曝光器
系指光学投影系统由折射系统所构成曝光装置。对光学投影系统采用光学缩小系统者，称为透镜对准缩小投影曝光器。而光学投影系统采用等倍之光学投影系统者，称为透镜对准等倍投影曝光器。
D7110
lens
镜面透镜投影对曝光器
系指光学投影系统，由反射及折射系统构成之曝光装置。此一装置有使用等倍之光学投系统只镜面透镜等倍投影对准曝光器。与使用光学缩小投影系统的镜面透镜缩小投影对准曝光器。
D7111
Step and scan
布进扫描投影对准曝光器
系与扫描式对准投影曝光器同样之同步扫描方式，对各个镜头进行曝光，且以布进反复在同一极板上，进行多数镜头曝光之投影对准曝光器。
D7112
I线布进机
指采用以365nm之光（统称I线）作为曝光光源之布进式投影对准曝光器。就对应用语而言，请参阅D7148
D7113
laser
准分子雷射步进机
系利用使准分子机雷射当作曝光光源之布进式投影对准曝光器。
D7114
同步加速器放射线对准曝光器
系使用SR( )放射线来曝光之对准曝光器。
D7115
X-ray
X线对准曝光器
系指使用软性X线来曝光之对准曝光器。
D7116
X-ray full wafer
X线整晶圆对准曝光器
系指以曝光一次来处理一片晶圆之X线对准曝光器。
D7117
X-ray
布进式X线对准曝光器
系指反复将晶圆片加以布进曝光之X线对准曝光器。
D7118
beam
电子波束曝光系统
系指以电子波束来曝光之曝光器。此一波束之扫描方式可分为光栅扫描( scan )式电子波束曝光器，与向量扫描( scan )式电子波束曝光器，对晶圆直接以电子波束加以描画之装置，有时称为电子波束直接描画器
D7121
对准
系指对半导体基板上既有图案，与下一个制程之设计图案，对准于最适当相对位置关系操作。
D7122
对准偏移
系指晶圆上数处对准标记位误差之平均值，与正规位置之误差。
D7123
scope
对准用双眼显微镜
系指可同时对晶圆上对准标记，与标线片( )上对准标记之相距两点加以计测，且可观察晶圆与标线片XY方向之误差，与旋转误差之双眼显微镜。
D7124
位置对准精确度
系指针对基板上既有图案，对准于下一个制程设计图案之相对位置精确度，特别指对准标记( mark)间的位置精确度。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D7125
mark
对准标记
系指形成在遮光罩、标线片( )或晶圆等上，作为对准用的标记。标记的形成依标记的检测方法而议，也可成为对准标的( ).
D7126
Ion beam
离子束微影术
系指使用离子束光源之曝光方法。此一方法有使用宽广的波束与遮光罩包括在内的离子束微影术，与使用聚焦；离子的直接描述法。与电子线比较质量较大，可将储蓄能量密度取大一点的优点。
D7127
Wafer
晶圆对准
系指将晶圆加以微动调整来对准，或对固定在装置的基准，与晶圆位置的调整。
D7128
of dust on
晶圆表面灰尘检查
系指对附着在晶圆表面上的外物大小及形状等检查。
D7129
Wafer stage
晶圆载物台
系将晶圆移动至曝光位置的位置决定机构。此一机构包括，可进行XY平面内的移动与位置决定的XY载物台，与Z方向的位置决定（聚焦），Z轴周围的旋转位置决定（晶圆θ角）以及包括可进行决定X轴与Y轴周围的旋转位置（倾斜）的微动载物台等2个载物台的机构。
D7130
Wafer
晶圆倾斜转动
系指对曝光时能的尖锐影像的平面，称为结像面，微要将此一投影透镜的结像面，与晶圆上加以平行之功能。兹将其一个范围列展示与图。
Wafer
晶圆调平
D7131
Wafer
晶圆表面检查
系指对镜面（图案形成前）晶圆表面伤痕的大小，形状，或表面介质等之检查。
D7132
Wafer error
晶圆对准旋转误差
系指在曝光时因晶圆之旋转，所产生对准旋转方向之误差。
D7133
Wall angle
墙壁角
系指将光罩标线片图案，对晶圆上加以曝光描画后，有关显影所得抗蚀剂图案断面形状之侧面倾斜角。此一倾斜角，亦可称为过肩角，或锥度角。
angle
过肩角
Taper angle
锥度角
D7135
数值孔径
系指与光学系之明亮度或解像能相关量之一种。位于折射率n 之媒质光轴上之物点，若入射眼睛之半径等与估计角a时，即数值孔径NA为n sin a。
D7136
Off-axis
轴外对准
系对与曝光位置不同之位置，配置对准光学系统，以便进行对准X方向，Y方向，θ方向等位置之方法.此一方法其生产量(-put)较高。
D7137
偏置控制
系专指对准,聚焦等之偏置调整。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D7138
On-axis
轴上对准
系指与曝光位置在同一位置所进行的对准.生产量(-put)较轴外对准为低.此一对准方法,可用于消除轴外对准误差.
D7139
分辨率,析像清晰度
系指在基板上行成线宽,间隔相同之线状抗蚀剂图案时,可付之实用之最小线宽,可以下记数表之.
NA: 数值孔径。通常k1虽以0.5作为分辨率界限来处理，在生产线即使用k1,而研究层级即使用k1=0.6
D7140
重叠精确度
系指在基板上形成图案，舆下一制程进一步形成图案时之相对位置精确度。就完成图案形成制程的基板而言，图案时之相对位置精确度，与重叠精确度对应，称为全部重叠精确度（total ）.类似的用语有重合精密度。
重合精确度
D7141
Image field
影像图场
系指一次曝光之最大有效曝光范围。主要使用于不京师于步进式投影曝光器。
D7142
全晶圆对准
系在步进式投影对准曝光器中，根据对由位置信息之推断计算，将晶圆载物台（wafer stage）移至曝光位置之曝光位置对准方式。
D7143
全晶圆倾斜转动
系指进行包括晶圆全部在内的晶圆倾斜转动。主要作为清除晶圆全部之锥度成分为目的。类似的用语有全晶圆调平。
全晶圆调平
D7144
Depth of focus
聚焦深度
系指可维持一定聚像性能的聚焦范围者，亦可简称为DOF,若将聚焦深度以数式可表示如下。
在此，K2：系数，λ：波长NA: 数值孔径。
D7145
error
照度均一误差
系指在画面尺寸内放射照度之不均一性.
D7146
照明系统
系指将曝光光束投于遮光罩(标线片)之装置.
D7147
Shot
每次之曝光照射
系指每次之曝光照射.此外,亦指该次的曝光所照射到之领域.
D7149
Step pitch
步进节距
系指步进式投影对准曝光器,每一次曝光移动量.
D7150
Line width
线宽精确度.
系指将线图案(line )曝光且描画在晶圆上后,显影所得抗蚀剂像之线宽尺寸精确度.
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D7151
at image plane
影像面照明强度..
系有关曝光装置之曝光位置照明强度.
D7152
Die-by-die
芯片间对准
系指在步进式投影对准曝光器中,对每一芯片按步所进行之调整.
D7153
Die-by-die
芯片间倾斜转动
Die-by-die
芯片间调平
是指在步进式投影对准暴光器中，对每一芯片按步所进行之晶圆倾斜转动。主要以清除晶圆之局部难度成分为目的。类似之用语有芯片间调平。
D7154
多层镜面光学
是将二种物质互相妥予对准，所堆积之多镜面所成之光学系统。在X线领域可得较高反射率，可使用于缩小投影术。在波长13nm，经由钼（Mo:）与Si之多层镜面系统，可以形成50nm之L&S图案。
D7155
多层抗蚀剂法
是经由涂敷，形成多层之多种抗蚀济，将抗蚀剂表面加以平坦化，籍以减少来自抗蚀剂层内部或基板表面之光、电之线之反射，或散射效应，以便提升分辨率之方法。
D7153
Die-by-die
芯片间倾斜转动
Die-by-die
芯片间调平
是指在步进式投影对准暴光器中，对每一芯片按步所进行之晶圆倾斜转动。主要以清除晶圆之局部难度成分为目的。类似之用语有芯片间调平。
D7154
多层镜面光学
是将二种物质互相妥予对准，所堆积之多镜面所成之光学系统。在X线领域可得较高反射率，可使用于缩小投影术。在波长13nm，经由钼（Mo:）与Si之多层镜面系统，可以形成50nm之L&S图案。
D7155
多层抗蚀剂法
是经由涂敷，形成多层之多种抗蚀济，将抗蚀剂表面加以平坦化，籍以减少来自抗蚀剂层内部或基板表面之光、电之线之反射，或散射效应，以便提升分辨率之方法。
D7158
-the-
经由标线片对准
是介由标线片（）遮光罩，对晶圆上之对准标记，同时进行量测之对准。
D7159
-the-lens
经由透镜对准
是介由投影光学系，对晶圆上之对准标记加以量测之对准。有能将投影光学系之误差加以去处之优点。
D7160
-the-lens auto
经由透镜自动焦距
是介由投影光学系，所进行之自动聚焦。有能将投影光学系结像位置之变化，加以去除之优点。
D7161
投影光学系统
是指为要将标线片或遮光罩上之圆案，以等倍或加以缩小，投影在晶圆上之光学系统。
D7162
Total
总重叠精确度
是指完成所有晶圆之制程处理后，最后在晶圆上所形成全部图案间之重叠总精确度。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D7163
毫微米微影术
是指将毫米(nm)领域之线宽图案，加以描画之微影术
D7164
Pulse laser
脉冲雷射曝光法
是使用KrF之准分子雷射( laser)所代表间歇发光雷射光源之曝光法。为要与使用高压水银灯之i线，g线等连续发光光源所使用曝光方式，有所区别之用语。
D7165
of on
表面微粒光学探测器
表面付着离子测定器
是可将晶圆上微粒数与分布加以测试之仪器。从晶圆上方以雷射光加以照射，由另一角度检测来自晶圆上微粒之散射光，把它变成电气信号，同时可显示微粒位置之信息。有时也可称为表面缺陷扫描仪。
表面缺陷扫描仪
D7168
标准片保持台
是为了交接将输送到之标线片（）加以保持，然后将该标线片设定到光学系所指定位置之保持工具。
D7169
Pre-
预先调准
是在对准之前，将调准标记移进到对准捕捉范围内之操作。
D7171
Base line
基线
是经由轴外调准机（off-axis scope）所规定之对准基线，亦是该基线对准位置与暴光位置之距离。
D7172
blade
遮光板，掩蔽片
blind
标线片遮掩
是指针对覆盖标线片图案之暴光范围外之遮光板。有时亦可称为标线片遮廉。
D7173
mix-and-match/M&M
混合与匹配、M&M
是指针对一个半导体装置之多数暴光制程，随着制程分开使用不同种类之暴光装置。
D7174
Line and space/L&S
线与间隙、L&S
有宽度之直线状图案称为线，线与线并列时，线与线之间隔称为间隙（space）,将线与线间隙等宽状态投影到晶圆上之像，称为线与间隙。通常，将此一图案用作显示解像性能之标准。
D7175
Run out
产生误差
使用二对对准标记来对准时，因遮光罩与晶圆倍率之差，当对准其中一对时，对另一对所产生之对准误差，或该对准之误差。
D7176
微影术，石版应刷术
在平板印刷中作为石版术为语源，在半导体领域是指对基板上形成抗蚀剂图案之技术。
D7177
标线片对准
是指将标线片加以微调整之对准，或对准与固定在暴光器基准之标线片位置调准。
D7178
stage
标线片载物台
是指将标线片加以微调，籍以决定暴光位置之机构，同时，可将遮光罩移位至暴光位置之机构，可称为遮光罩载物台。
Mask stage
遮光罩载物台
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D7179
标线片固定器
是指针对晶圆或光学系，为要将标线片或遮光罩维持在被指定位置之固定器。
Mask
遮光罩固定器
D7180
标线片搭载器
是指可保管多数片标线片，且来回移动至曝光位置之机构。同样可保管多数片遮光罩，且来回移动至曝光位置之机构者，称为遮光罩搭载器或遮光罩更换器。
Mask /mask
遮光罩搭载器、遮光罩更换器
D7181
error
标线旋转误差
是指针线对准之旋转方向误差。
D7182
有源阻尼奇
有关半导体曝光装置，为防止底座振动等外来干扰之避震装置，在此，特别指为控制振动之驱动器（），传感器（）及其具有控制系统之避震装置。
D7183
大气压对因应投影透镜放大率校正系统
是指对应气压之变化（利用空气折射率之变化），将其受变化投影透镜之放大率（），加以补偿之机构。
D7184
Light
光线积分器
是将多数小型透镜配置成二次元（如同苍蝇之复眼）之透镜组合。将光源配置在经由椭圆镜等聚光之位置，可将光源像加以分割，并在标线片（）上重叠，可以将照度不匀加以消除之透镜。
D7185
lens
双重远心透镜
是指入射瞳孔与出射瞳孔都位在无限远之光学系，所有之主光线下不管在物体空间或影像空间，均与光轴平行，是可减轻对物体面或影像面之位置误差，及放大倍率误差影响之透镜。
D．8蚀刻用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D8001
蚀刻系统
是将晶圆或形成在晶圆表面上之薄膜全部，或特定处所蚀刻至必要厚度之装置。
8．1湿式蚀刻装置用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D8101
Wet
湿式蚀刻系统
是可在液相中将晶圆等加以蚀刻之装置总称。
D8102
wet
浸渍式蚀刻系统
是将被蚀刻物浸渍在盛装蚀刻溶液之槽中，藉以进行蚀刻之装置。
D8103
wet
减压抽气浸渍式蚀刻系统
是为去除化学蚀刻所产生氢气泡沫，将蚀刻槽加以密封同时将槽内空气加以排气之湿式蚀刻系统。
8．2干式蚀刻装置用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D8201
Dry
干式蚀刻系统
是可在汽相中将晶圆等加以蚀刻装置之总称。大都是利用减压下之活性瓦斯等离子来蚀刻者。
D8202
等离子体蚀刻系统
是指利用反应性瓦斯等离子体之干式蚀刻装置，该晶圆之电位顶多只能达到浮游电位之蚀刻装置。主要是以中性活性种之作用，来进行蚀刻。
D8203
Down
分离型等离子体蚀刻系统
是指将等离子体产生室与蚀刻室加以分开，而将等离子体产生之较长寿中性活性种，输送至蚀刻室将晶圆加以蚀刻之等离子体蚀刻装置。
D8204
type
圆筒型等离子体蚀刻系统
是在圆筒型蚀刻室之外围装设电极，经由蚀刻室内等离子体所产生中性活性种，将室内之晶圆加以蚀刻之等离子体蚀刻装置。亦有在蚀刻室内置入金属制隧道，及藉以控制核电粒子入射到晶圆之方法。
D8205
ion /RIE
反应性离子蚀刻系统/RIE系统
是指利用反应性瓦斯等离子体之干式蚀刻装置，是将晶圆放置于设置在蚀刻室内之电极上，加以进行蚀刻之装置。晶圆是藉以中性活性种与反应性瓦斯离子之相乘效应来进行蚀刻。
反应性溅镀蚀刻系统
D8206
plate ion
平行板反应性离子蚀刻系统
是在蚀刻室内备有一对之平行板型电极，将高频电压施加于电极一侧，另一侧电极连接到接地电位，且将晶圆放置于任何一侧电极上，藉以进行蚀刻之反应离子蚀刻装置。
D8207
type ion
六角柱型反应性离子蚀刻系统
是指将六角柱状高频电极装设于蚀刻室内，且在这些电极上固定晶圆，以便进行蚀刻之反应性离子蚀刻装置。
D8208
gap ion
狭窄间隙反应性离子蚀刻系统
是指电极间隙较狭窄（5～10mm）之平行板型反应性离子蚀刻装置。因在较高高压领域进行瓦斯放电，可获得高离子电流。
D8209
ion
三极型反应性离子蚀刻系统
是在蚀刻室内设置，可放置晶圆之一对电极外之第3电极，将此一第3电极之电极之电位加以独立控制，可做到控制蚀刻特性之反应性离子蚀刻装置。有时可将第3电极定为浮游电位之场合，与施加直流电压或高频电压之场合。
D8210
ion
磁控管增强型反应性离子蚀刻系统
是指备有产生磁场领域，因利用在晶圆表面上所形成直交电磁场，来进行磁控管放电而产生等离子体（），以便进行蚀刻之反应性离子蚀刻装置。
D8211
ion beam /RIBE
反应性离子束蚀刻系统
是指经由反应性瓦斯以离子源产生等离子体，然后将反应性瓦斯离子及中性活性种，照射在与离子源独立载物台上之晶圆，以便进行蚀刻之装置。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D8212
-
磁场微波型等离子体蚀刻系统有磁场
是使用经由微波与磁场所产生高密度等离子体为离子源，生成反应性瓦斯离子与中性种，且将其照射到晶圆加以蚀刻之反应性离子束蚀刻装置。
D8213
电子回旋加速器共振蚀刻系统
是利用电子回旋加速器（ECR）共振，来蚀刻晶圆之磁场微波蚀刻装置。
D8214
螺旋波蚀刻系统
是经由沿着磁场传播而属于一种磁场波之螺旋波，与电子之与互相作用（随机衰减），而利用该无规则衰减所生成等离子体，以便进行蚀刻之等离子体蚀刻装置。
D8215
螺旋型蚀刻系统
是以感应耦合型天线耦合到围绕在螺旋状电介体等离子体生长室周围线圈之感应耦合型等离子体蚀刻装置。
D8216
感应耦合型等离子体蚀刻系统
是经由高频感应磁场所产生感应电场来加速电子，利用此一加速电子所生成等离子体（）之等离子体蚀刻装置。感应耦合天线之形状有螺旋状线圈与平板状线圈。
D8217
Ion beam
离子束蚀刻系统
是将离子源保持在电位状态，利用非活性瓦斯来产生等离子体，再由离子源引出非活性瓦斯离子照射在晶圆，以便加以蚀刻之装置。此一装置有时亦可称为离子铣削机。
Ion
离子铣削系统
D8218
Photo
光激励蚀刻系统
是指反应性瓦斯引进蚀刻室内，经由紫外线或可视光照射瓦斯或晶圆，藉所产生活性种离子，来进行蚀刻之装置。
D8219
ratio
纵横尺寸比
系指被显影之抗蚀剂膜，或蚀刻在晶圆上所形成之图案，其深度与宽度之比值。
纵横尺寸比＝b/a
D8220
Post-
后端处理室
是指位在同一装置内，在主蚀刻制程后之晶圆处理室。后端腐蚀对策之处理室即系此一范例。
D8221
After-
后端腐蚀
系指蚀刻时附着在晶圆之氯气或反应生成物，与大气中之水分反应，因而在蚀刻后会对AI配线，产生腐蚀之现象。
D8222
Under-
蚀刻不足
系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止蚀刻或已停止之状态。
D8223
切割不足，蚀刻不足
系指当被蚀刻材料正进行蚀刻时，系从蚀刻这光罩之端部向侧面方向进行，被蚀刻材料之图案宽，较蚀刻遮光罩宽减少之状态。此一蚀刻不足现象，特别在溶液蚀刻或以基为主体之等离子体蚀刻时最为显著。对微细图案之形成而言，要作到减少蚀刻不足系一件重要技术。
side
侧面蚀刻
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D8224
各向异性蚀刻，费等向性蚀刻
系指深度方向之蚀刻速度，较水平方向之蚀刻速度为大之场合，亦就是蚀刻速度具有方向依存性者。
D8225
阴极耦合
系指在一对之电极中，对设置有晶圆之电极施加高频电压，而另一电极接到接地电位。
D8226
Etch back
回蚀
为要能形成于晶圆上凹凸，加以掩埋涂上一层薄膜，再经过将此薄膜加以全面腐蚀，使晶圆表面平坦化之方法。此一回蚀可使用于层内绝缘膜之平坦化或接点之掩埋等。
D8227
area ratio
蚀刻面积率，曝光面积率
系被蚀刻面积与晶圆全面积之比率。
D8228
Etch
蚀刻均质性
系指被蚀刻材料蚀刻速度之参差不齐。对晶圆内之均质性而言，通常如图D-8228所示，从包括晶圆中心等n个测试点相关之蚀刻速度，利用其最大值，最小值或偏差求得次式之均质性。
D8229
Etch
蚀刻残余物
系指残留在被蚀刻晶圆上之物质。就其生成原因而言，系以等离子体聚合物等低挥发性之反应生成物，溅射分解物，或被蚀刻材料中之低挥发性物质等为核所生成者。这些残渣不仅成为污染或腐蚀之原因，有时亦会给予组件电气特性不良影响。
D8230
蚀刻处理室
是指处理蚀刻之真空室。一般而言，亦可称为处理室，反应室或处理腔。
D8231
end point
蚀刻终点检测
系指可自动检测蚀刻之终点..其检测方法有下列方法。
(1)光分析法
(2)光学反射法(雷射干涉法)
(3)质量分析法
(4)阻抗监控法
(5)压力监控法
(6)探针法
(7)红外光吸收法
D8232
Etch raito
蚀刻选择比,蚀刻选择性
系制被蚀刻材料之蚀刻速度,与蚀刻遮光罩材料及底子材料之蚀刻速度间之比值。
蚀刻选择比=a/b
a:被蚀刻材料之蚀刻速度。
b:蚀刻遮光罩材料与底子材料之蚀刻速度。
D8233
Etch rate
蚀刻速率
系指被蚀刻材料之厚度或深度,以时间除之商。
D8234
Over-
过分蚀刻
系指蚀刻较被蚀刻材料之期望膜厚为多者，或在其状态者。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D8235
活性种
系吸收光或热能后被激励至高能状态，较易引起化学反应状态之原子或分子。请参考cf.14 JIS。
若对蚀刻瓦斯施加高频波或微波时，将在等离子体中产生活性种，此等活性种经与被蚀刻膜反应，而进行蚀刻，有时称为基(),或游离基。
基
D8236
基片冷却机构
为防止基片温度之上升，将载物台以冷却水等媒体加以冷却，使放置与载物台之基片被冷却之机构。为要提升冷却效率，对基片背面流通氦气等瓦斯，或为使基片与载物台间之紧密性增高，有时以机械式或电气式加以钳子。
D8237
RF
高频施加电极
为要产生等离子体().系指需要施加高频电压之电极，一般而言，系指阴极。
D8238
RF
高频产生器
系指当作等离子体放电之激励电源。其最常用之谐振频率为13.56MHz。通常与耦合组件配合使用。
D8239
陈化处理
是在蚀刻室之清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次之蚀刻循环。
D8240
自动压力控制
是指将处之压力置于自动控者。目前最普遍使用者，是将处理之瓦斯流量保持一定，压力控制置于回授，而排气系统之电导（）通常置于自动调整之方法。较简易之方法，是将排气系统之电导保持不变，而改变瓦斯流量以便控制处理室之压力。
D8241
Just
适量蚀刻
是指蚀刻洽到被蚀刻材料厚度等量者，或在其状态者。
D8242
Step
阶段性蚀刻
是指在蚀刻途中，将操作条件作阶段性改变来处理者。
D8243
溅射蚀刻
是指经由非活性瓦斯之溅射效应之蚀刻。此一方法大都使用于金属沉积之前站处理，或凹凸部之平坦化处理。
D8244
shift
图案偏移
loss
临界尺寸损失
如图Ｄ－８２４４所示，从蚀刻前之蚀刻遮光罩线宽Ｗ１，减去已完成被蚀刻材料之线宽Ｗ２或Ｗ'２之值，可由下式求得之。
图形偏移＝Ｗ１－Ｗ２Ｗ１－Ｗ'２
D8245
接地电极
是指高频波电极相对称所设置之电极。一般而言。是指阳极谓之。
D8247
layer
侧壁保层
是指抗蚀剂之分解物或反应生成物所生成，用来防止对侧壁之侧边蚀刻薄膜层。
D8248
Taper
锥角蚀刻
是对配线图案或电极等断面形状进行具有倾斜状之蚀刻作用，或具有该状态者。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D8249
Low
低温蚀刻
为要获得垂直图案形状与高选择，是一比较通常之干式蚀刻处理温度为低（0。C以下），加以处理之蚀刻。
D8251
各向同性蚀刻，等向性蚀刻等
是指水平方向与深度方向之蚀刻速度，几乎相同之蚀刻作用。
D8252
沟渠蚀刻
是指能在晶圆表面形成微细沟渠之蚀刻。此法通常可用来形成件分离层及电容器膜。
D8253
等离子体污染
是指在等离子体中所引起之污染，对其污染物之生成原因，不仅仅具有与蚀刻同样之残渣，甚至包括从构成装置材料之重金属，Na+等碱离子。此一污染可分为对晶圆表面之沉积，于混进晶圆内部二种。
D8254
等离子体损伤
是受到等离子体照射之损伤。此等损伤大致可分成下述3种类。
（1）被产生在电极附近之离子层（ion ）所加速之电子，碰撞到晶圆片所形成对被蚀刻表面之结合破坏。
（2）随着放电所产生等离子体中，因特定波长照射到晶圆，所引起之所谓照射损伤。
（3）因等离子体中荷电粒之储蓄，对绝缘膜（闸极氧化膜等）之静电破坏。
D8255
沟壁内凹
是指对硅晶施行沟渠蚀刻中，由于侧面方向之蚀刻在进行时，在侧壁形成内凹状态者。此一沟壁内凹对下一制程由CVD法来掩埋，将产生下良影响。
D8256
微型加载效应
是指随着洞穴口径或沟糟宽度变小,蚀刻速度亦跟着下降之现象.在很多之场合,用语栏之日文两语虽当作同意语使用,若同一尺寸之图案有不同密度存在时,蚀刻速度有差异之现象,有时可称为微型加载效应.
D8257
磁控管
是由当作空腔谐振器动作之圆筒状阳极,与在该中心轴上设置有微细阴极所构成,经由阳极中心轴方向之静磁场,与反应作用空间内电子间之互相作用,可以产生微波谐振之真空管,而称为磁控管.
D8258
磁控管放电
是指位于真空中之正交电磁场中，电子在阴极上经由作余摆线（）运动，而在阴极附近空间产生高密度等离子体之谓。
D8259
unit
匹配单元
box /
匹配箱/匹配网络
是随着等离子体状态之变化.放电中之阻抗亦会随之变动,因此设置有调谐电路,使针对所施加高频波输出,藉以调整阻抗使反射波抑压在最小值之阻抗匹配单元通常都配置在高频波电极附近。有时称为匹配箱，或匹配网络。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D8260
anode
阳极耦合
在成对之电极中，将设置有晶圆之电极接到接地电位，而另一电极即施加高频电源，称为阳极耦合。
D8261
加载效应
是指蚀刻速度显示有蚀刻面积依存性者，一般而言，蚀刻面积越增加，蚀刻速度会越低落之现象。
D8262
wave
表面波等离子体
是指经由感应在等离子体表面上之表面波，所生成等离子体区之等离子体。其典型者，是沿玻璃管所生长尺寸之等离子体。最近，对于大面积等离子区之生长，正尝试能适用于表面波等离子体。此外，经由可传波在电介体线路表面波之漏泄电场，所生成等离子体，有时可称为表面波等离子体。
D8263
ratio
天线比
是指有关MOS装置构造，在蚀刻中露出在等离子区之布线，其荷电粒子所流入部分之总面积S，与连接到此一布线闸极电极之面积Sg之比S/Sg，所表示之无次元量。此一天线比，可作为评价闸极氧化膜因储蓄电荷( up)而导致可靠性劣化时之指针。
D8264
Self-
自我对准接触孔蚀刻
是利用针对氧化膜所能实现高选择比之停止器（）绝缘膜，对布线层能自我对准将接触孔（ hole）加以开口之技术。即使有对准偏差或抗蚀剂加工时之参差不齐，可确保接触面积之稳定。
D8265
Time
时间调制蚀刻
是指将等离子体之产生，或偏压功率之ON/OFF等，以从微秒（us）至毫秒（ms）之等级，藉调制时间来蚀刻之方法。
D8266
电子遮掩效应
针对离子之垂直入射，电子可以倾斜入射，因此，在抗蚀剂图案之侧壁储蓄电荷成负性，而在较密图案部受此一负电荷之排斥，较低速之电子无法进入图案底部之现象。
D8267
Notch
凹口,凹槽
是指在高纵横尺寸比（ ratio）图案之底部或异种材料间之接口对横方向所产生之局部蚀刻异常形状。
D．9洗涤用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D9001
洗涤装置
是将位在晶圆表面之粒子，有机物或金属表面杂质等污渍，以液体或气体洗涤剂之化学作用，与各种物理能量合并使用，藉以去除污渍之装置。，
9．1湿式洗涤装置用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D9101
Wet
湿式洗涤装置
是指使用药品溶液、有机溶媒或水等液体，来进行洗涤之装置。对于会产生有害药品或溶媒之洗涤装置，为不致将蒸气扩散到室内，装设有排气罩（hood）。此外，为对应于药液使用耐酸塑料，对应于有机溶媒使用不锈钢作筐体材料。装置专用之风扇过滤器单元可分为顶棚备有与没有风扇过滤器者2种。
Wet
湿式洗涤站
D9102
单站洗涤装置
进行洗涤处理之场所（指槽或处理杯），仅有一个之装置。
D9103
Brush
刷子擦洗机
是对旋转之刷子边浇洒洗涤液，边将清洗面压着移动，将晶圆表面附着物加以洗涤之装置。对刷子之形状有圆筒型与茶杯型，而对刷子材料有植毛与泡棉等。此一擦洗刷子除了使用于晶圆涂敷抗蚀剂前之除尘外，最近积极采用于去除晶圆背面之污渍。有仅处理单面与两面同时处理之装置。
D9104
High jet spray
高压喷射喷雾机
是从喷嘴加压驱使液体洗涤剂，以高速喷射出去且利用其力道，将附着在晶圆表面外物加以剥离流掉之装置。
D9105
Ice jet
冰粒喷射洗涤装置
是指将超纯水以液体氮气冷却至-50℃，将该被冻结成0.1~300um之微粒冰，经由N2瓦斯喷射到洗涤对象物表面，藉以进行洗涤之装置。经由冰粒子之冲击力，摩擦力效应及低温效应等，将硅晶圆表面上之微粒子，加以去除是很有效的。亦可称为冰粒洗涤装置。
Ice
冰粒洗涤机
D9106
超音波洗涤装置
是将超音波照射于浸渍在洗涤槽中洗涤物之洗涤装置。
D9107
spray
离心喷雾洗涤装置
是指对搭载于旋转中旋转器()之洗涤物，从旋转中心轴喷雾洗涤液，藉以达到清洗之装置。可藉将洗涤液输送部之切换阀自由变更，而不致改变洗涤物之状态，可完成一连串之洗涤处理。
D9108
type
直接置换式洗涤装置
直接置换式洗净装置
是用多种洗涤液来清洗晶圆时，可经由单一槽将A液，纯水，B液纯水……等之次序，能将后液完全置换前液来供给，而不致使晶圆表面接触到空气，可进行一连串之洗涤处理之洗涤装置。与一般之洗涤装置有所不同，仅使用一个洗涤槽，因而有不占装置安装之优点。
D9109
Multi-
多处理站洗涤装置
是指进行洗涤处理之场所，有多数个之洗涤装置。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D9110
Multi-bath wet
多槽浸渍式洗涤装置
多槽浸渍式洗净装置
是指有多数个槽并排,而将洗涤物顺序输送至另一槽,可浸渍于不同药液之洗涤装置。
D9111
RCA
RCA洗涤法
RCA洗净法
于1970年由美国RCA公司所提倡,依下列制程及组成所成之硅晶圆之洗涤法.
(1)氨气:过氧化氢:水之容积配合比＝1：1～2：5～7之洗涤液（SC-1液，原名- ,略称APM液），保持在75～85度，并进行10～20分钟之浸渍处理。本洗涤液可去除有机性污渍，以及附着在晶圆上之粒子。
(2)氟酸水溶液（1:99之稀释液，原名 acid,略称DHF液），保持在室温，进行数十秒之浸渍处理。可用来去除硅氧化皮膜。
盐酸：过氧化氢：水之容积配合比＝1：1～2：5～7之洗涤液（SC-2液，原名- ,略称HPM液），保持在75～85度，进行10～20分钟之浸渍处理。可用来去除表面金属杂质。
D9112
管线群加热器
是为进行加热药液清洗或加热纯水冲洗，在供应配管或循环过滤配管之中途，边流入药液或纯水，边可以加热之装置。可以避免在处理槽内使用投入式加热器。
D9113
Wafer group
晶圆群靠拢机构
在无匣盒湿式处理中，为要将50片晶圆一并加以处理，在装载晶圆时从位置分离之盒中，抽取25片晶圆群2组，如同从50片用盒抽取一样，时该2组靠在一起。而以机械人夹头（robot chuck）挟持之机构。亦有将25片晶圆加以挟持之夹头2组靠在一起，将50片晶圆一并输送之方式。此一方式可促使洗涤槽小形化。
D9114
Air seal type clean draft
密封式洁净通风室
对于将洁净空气之向下流动，与向外界排气之风量，加以平衡之洁净通风室中，在通风道之上部形成洁净空气又小风量之水平层流，能将药品蒸汽迅速加以排出之通风系统。即使将向下流动之风量减低到通常之1/3程度，亦能保持洁净度，因而能大幅减低排气风量，而对洁净室之省能源化有所帮助。
D9115
Over flow rinse
溢流冲洗
是将水流由加工物（work）之下方往上方流动，而由槽之上面平均溢流之冲洗方式。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D9118
输送匣盒洗涤装置
是将附着在晶圆输送匣上之污染粒子，加以清除之装置。
D9119
wet
无盒湿式洗涤装置
是从输送匣盒将全部晶圆一并夹住抽取出来，经由槽间之自动输送机构，仅能将晶圆分批浸渍洗涤之装置。由于不使用输送匣，有处理槽尺寸之缩少，全部装置之省空间化，减少洗涤液使用量，可防止来自输送盒之逆向污染，可减少洗涤液被挟带出来之量，以及可提升洗涤效率或冲洗效率等很多优点。
D9120
Carry over
挟带
是指在药液浸渍洗涤中，附着在晶圆或输送匣盒上之药液，被挟带到下一个药液槽者。被渗透到PFA制输送盒之药品，辗转在其它槽渗透出来，或在保管容器中蒸发之现象。此一现象将对药品或保管晶圆构成污染之原因。
D9121
agent added
添加螯合剂洗涤药品
是指在晶圆处理时，为不至于使洗涤液中之重金属杂质，污染吸附在晶圆表面，而添加螯合剂之药品。例如市面上出售之SC-1液用之氨水，即为一个范例。若以此一药品调剂之SC-1液所清洗之晶圆，较使用一般药品时其受Fe或A1等污染量少很多，因而可省略以SC-2液之清洗制程。
D9122
Quick dump rinse
快速倾卸冲洗
是对水洗槽进行急速排水与供水交互数次之方法。
D9123
Clean draft
洁净通风室
是指具有HEPA过滤网与排气通风管道，可在洁净气氛中进行药品处理，而可加以隔离之场所。
D9124
Hot acid and
高温酸液循环过滤系统
是指被设计能耐160℃高温酸液之循环过滤装置。对泵浦，阀或过滤器等构成零件，采用PTFE，PFA等材料，具有对热应力有充分考量之构造。
D9125
-based
柯林基体洗涤液
是以柯林[（2-） ]为主剂之晶圆洗涤液。混合非离子表面活化剂之液体对重金属之洗涤性，混合H2O2之液体对微粒子去除性，较RCA洗涤液为优，其一部分已付之实用化。有时将添加表面活化剂与甲醇（）之柯林液洗涤，特称为Summa clean。
D9126
表面污染
是指在晶圆表面附着有对加工精确度，或装置特性有不良影响之物质谓之。除了附着在晶圆表面之微粒，有机分子，金属杂质外，最近又将自然氧化膜包括在洗涤对象名单内。
D9127
Cycle time
循环时间
在多槽式自动输送洗涤系统中，是指从加工物装载到洗涤处理完毕卸载为止之时间。
D9128
of
残留粒子数
是指镜洗涤处理后，尚残留在晶圆表面上之粒子数。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D9129
after CMP
CMP后之清洗
CMP洗净
在被采用作层间绝缘膜平坦化技术之CMP中，是指为去除会污染晶圆表面研磨同泥状研磨微粒之后端洗涤处理。此一洗涤处理可利用到磨刷洗涤（brush scrub ），超高频波带之超音波喷洗，药液喷洒洗涤等法。对氧化膜以外，对金属或多结晶硅之CMP平坦化处理后之洗涤，亦加以检讨中。
D9130
结晶起因之微粒
COP
若将Si之CZ结晶晶圆以SC-1加以洗涤时，经由表面检查装置，宛如有0.1-0.2um之微粒存在，会呈现有微小坑（pit）被计算。对通常之光散射方式装置无法识别之真实粒子，称为COP。依结晶上拉条件之不同，产生比例受到影响，由反复以SC-1溶液加以洗涤，COP一直会增加来看，COP可被考量是一种结晶缺陷之蚀刻痕迹。
D9131
oxide iayer
自然氧化膜
自然酸化膜
是指将晶圆浸渍于氧化性药液（例如APM液）或纯水中处理时，会在晶圆表面生成1nm程度之SiO2薄膜。若将晶圆长时间放置于潮湿空气中亦会形成。
D9132
Bath with
循环过滤式洗涤槽
是指具有经常将药液以过滤器，加以循环过滤功能之洗涤槽。
D9133
氢终结化
是指晶圆最外表面之Si原子与氢结合而安定化，成为疏水性表面之状态。将硅氧化膜以氟酸水溶液处理后虽会产生此一氢终结化，有时产生不是很完全，此时经由时间经过会形成自然氧化膜。
D9134
Under water
水中输送机
是可在水中输送洗涤物之装置。
D9135
tube
石英管洗涤设备
是指扩散处理或CVD法所使用石英管之洗涤设备。此一设备有竖立型与横卧型2种，一般可进行蚀刻（使用氟），水洗及干燥等处理。
tube
炉心管洗涤设备
D9136
Zeta
Z-电位
是位于固体与液体之接口电位差中，经由导电现象可量测到之滑动面电位。在清洗中，为防止粒子附着在晶圆表面，拟使晶圆与微粒间有互斥动作，经由调整溶媒之PH值或添加表面活性剂，将晶圆及微粒之电位，调整到同符号之接近值为最有效。
D9137
tact
洗涤流程时间
是指洗涤物备洗涤后顺序间歇地由装置输送出来时之间隔时间.
D9138
洗涤评价
是调查从洗涤物除去污染程度之评鉴。
D9139
Bath to bath time
槽间输送时间
是指从湿式洗涤装置之此一槽至下一个槽,将洗涤物搬运所要时间.
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D9140
Chuck
夹盘洗涤机构
是将浸渍在药液之输送用夹盘，在下一个挟持动作之前，为要去除附着在夹盘之药液，进行水洗与干燥之机构。水洗之方法有使用喷水者，与浸渍于溢流冲洗槽内者。然后再以N2干燥空气加以吹干。
D9142
spray
超音波喷洗洗涤设备
是指边施加超音波振动，边将洗涤振动，边将洗涤液对准被洗涤物加以喷洗之洗涤装置。与单纯之喷洗比较，有提高洗涤力之效果。
D9146
表面洁净度
是指以存在于晶圆表面少许污染物之定量测试值，来表示干净表面之洁净程度。例如对微粒污染而言，是以指定粒子经以上之微粒，在每1cm2之附着数，对表面金属杂质而言，是指每1cm2之原子数，对有机分子污渍而言，是以每1cm2之重量值或表面覆盖度来表之。
D9147
acid
氢氟酸过氧化氢混合洗涤液
是指对0.5%氢氟酸以1-10%之过氧化氢，加以混合之洗涤液，取其英文冠头字，而简称为FPM液。不受来自氢氟酸单独洗涤成为问题排污之铜污染，经由室温之浸渍处理，可实行去除晶圆表面之氧化膜与金属污染。对洗涤面亦不会形成自然氧化膜。
D9148
HF added pure water
添加氢氟酸纯水
是指添加5-10ppm氢氟酸之纯水。若使用此一添加HF之纯水，来清洗以氢氟酸来处理氧化膜去除后之晶圆，与使用单纯之纯水来清洗晶圆作一比较，前者对晶圆在清洗中或保存在大气中，对自然氧化膜之成长有显著之抑制作用。此外由于氢氟酸之杀菌力，亦可防止微生物在纯水系统中生长。
D9149
cup
制程杯状容器
是指在刷子擦洗机（brush ），高压喷射洗涤机，喷洗式蚀刻机中，可进行洗涤等处理之杯状容器。
D9150
微型粗糙度
在SI晶圆之镜面亦会形成节距在100-，高度在数nm以下之凹凸。此一层级之凹凸，称为微型粗糙度，会受晶圆之研磨条件，结晶方位，SC-1洗涤条件之影响。若微型粗糙度增大，将会影响薄闸极氧化膜耐压特性之下降，为抑制此一缺失，将标准组成之NH4OH比，宜定在数分之一以下来洗涤。
D9151
MHz超音波洗涤设备
是指使用至1MH频带超音波之洗涤装置。就超音波洗涤而言，因不会产生洞蚀现象（），且能将强大振动加速授予水分子，不致损伤到晶圆又能去除次微米（）级之微粒。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D9152
药液再生器
是指将洗涤等处理所使用之药液废液，经过过滤蒸馏及离子交换等加以精制，使其能再利用之装置。诸如硫酸，氢氟酸等之再生器已付之实用化。
D9153
tank
药液储存槽
是指将药品或洗涤液储存到使用为止之槽。
D9154
药液过滤器
是指为使能将药液中杂质微粒加以过滤，以抗药品性材料作成空质膜或外科（）之过滤器。对半导体已使用氟化物树脂（），对加以过滤之粒子经，多使用相对应经控制之多孔质膜。
D9155
and
药品自动稀释混合设备
是指为要调制蚀刻液或洗涤液，对药品之稀释或将数种药品自动加以混合之设备。过氧化氢族系洗涤液，因在使用前有加以调制之必要，都编入在洗涤设备中，而氢氟酸蚀刻液因非常安定，可使用本设备大量集中起来且稀释到一定值，可供应到各使用场所。
D9156
acid
硫酸过氧化氢洗涤
是将浓硫酸1容积对过氧化氢水0.25-1容积之混合液（ acid- ,简称SPM液），加热到130前后，用来进行抗蚀剂剥离，去除有机性污渍或表面杂质等洗涤。有时可称为 。
白骨化洗
D9157
spill
液体溢流传感器
是指为要侦测从洗涤装置或蚀刻装置等储存槽、配管，有否药液或洗涤水泄漏等传感器。一般而言，都使用经由液体泄漏可检测出电气容量变化之传感器。
D9158
机械人输送机
是指经由微处理器控制，可将被洗涤物在洗涤装置内自动加以输送之机械人输送机。
D9159
wafer
单晶圆加工洗涤机
是指将晶圆逐片加以洗涤处理之装置，与成批(batch)式相对，而称为单片式。其洗涤方法有例如喷雾之湿式处理方式，或气相洗涤处理方式。本方式适合于300mm以上大口径晶圆之洗涤。
D9160
One bath type
单槽型洗涤设备
是指一个洗涤槽/室，可顺次进行多数之洗涤处理之装置。虽因装置所占面积较小最近受到青睐，反面生产能力（-put）将下降。
D9161
water /- water
电解电离水
若对纯水或溶有微量电解质之加水加以电解时，从阳极（anode）室可得酸性又是强氧化性之水，从阴极（）室可得碱性又是强还原性之水。据云，电解阳极水对Si表面污染金属之去除，电解阴极水对附着在Si晶圆表面上微粒子之去除，其效果特别好。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D9162
Total room wet
全室温湿式洗涤处理
是指全工程可在室温加以处理之洗涤处理。本处理具有下述：
（1）仅能在臭氧，HF，H2O2接口活化剂之低浓度使用。
（2）药液蒸汽之产生较少，且不需药液管理其排气量也能削减。
（3）省能源，省资源。
（4）环保对策容易等特征。
D9163
rinse
并行下流冲洗
从浸泡槽之上方并行供给纯水，通过设在底部之多孔板，经由同一流量以泵排水，使槽内形成均一流速分布之下降流冲洗方法。此一冲洗法水很容易流过狭窄之晶圆间隙，因不致在槽内生成滞留部，可获得高效率之冲洗。
D9164
Spin
自旋洗涤器
是指边将晶圆加以旋转，边将纯水或药液洒在晶圆上，将其逐片加以洗涤之装置，有时可同时使用刷子擦洗机（brush ）或超音波喷雾器。
9．2干式洗涤装置用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D9201
Dry
干式洗涤设备
是指不用液体可将被洗涤物表面之污渍加以去除之装置。
D9202
Photo-
光化学洗涤设备
是指以比200nm更短波长之光，照射含有氧气空
气之污染面，可将洗涤物表面之有机污染物，经
氧化分解加以去除之装置。诸如UV臭氧洗涤及
紫外线臭氧洗涤等装置都属此一类。
D9203
Vapor phase
汽相洗涤设备
是将化学药品蒸汽或瓦斯，以非活性瓦斯稀释后送入反应室，促使洗涤物表面污染物，变成易于气化之反应生成物，然后加以去除之装置。
D9204
等离子体洗涤设备
是利用氧化性或非氧化性瓦斯，所产生等离子体来加以洗涤之装置。
D9205
HF vapor
氢氟酸蒸汽洗涤设备
是经由共沸点氢氟酸或氟化氢与乙醇之共沸点混合液所产生蒸汽，将硅晶圆表面之自然氧化膜，加以去除之装置。特别用作成膜制程前之处理。
D9206
Ozone gas
臭氧瓦斯处理器
是将由光化学洗涤装置之紫外线照射所产生有害臭氧，不致排出装置外而加以无害处理之装置。
Ozone
臭气去除装置
9．3干燥装置用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D9301
干燥设备
是将湿式洗涤后之晶圆，去除水分至干燥状态之装置。
D9302
离心干燥设备
是指利用由高速旋转之离心力，将水分加以甩掉，使之迅速加以干燥之装置。将装置内部分装可喷射洗涤功能者，特别称为冲洗干燥机（ dryer）。近来为除去晶圆与输送匣盒内之晶圆片数差，而自动调节重锤位置，亦有可防止因旋转振动而产生碎屑（）者。此一型干燥机亦可称为自旋干燥机。
Spin dryer
自旋干燥机
D9303
Vapor
蒸汽干燥设备
是将水气化潜热较少之有机溶媒加以置换后，利用有机溶媒之蒸汽，来加热使之干燥之装置。
D9304
Hot air（gas）
热空气干燥设备
是将热空气或氮气吹上去,使水气蒸发干燥之装置.
D9305
Pull up
上拉干燥设备
是从60C前后之温超纯水中,将晶圆以1mm/s程度之定速,上拉加以干燥之装置.晶圆与设备接触部间之水滴去除,需要下一番功夫.
毛细管作用干燥设备
D9306
真空干干燥设备
是将干燥室抽真空至大气压以下,提高沾有溶媒洗涤物之蒸发速度,将不宜在较高温度干燥之多孔质物体,或复杂之装配对象等加以干燥之装置.
D9307
IPA vapor
异丙醇(IPA)蒸汽干燥
是将硅晶圆放置与异丙醇( ,简称IPA)之加热蒸汽中，边以凝缩IPA将附着水加以置换，边将晶圆升温至蒸气温度，而加以干燥之方法。此法可得无污染之干燥，又可收到晶圆之除电效果。对于使用IPA之水分管理，及针对可燃性安全对测策，至为重要。另一方面，以不可燃混合溶液过氟化碳()及三氟化乙醇()替代IPA之方法，亦获得实用化。
D9308
Water mark
水痕
是指残留或附着在被洗涤干燥之洗涤物表面之水滴,所生成之斑点.
D9310
frame
旋转速度建立时间
是指有关离心干燥机,达到被设定旋转速度所需要之时间.
D9311
fire
自动灭火器
自动消火装置
是指当设备发生火灾时，由被检测器之指令，喷射灭火药剂迅速将火灾加以扑灭之装置。即使万一着火，为防止延烧有加以设置之必要。
D9312
rotor
单个套装匣转子
是指离心干燥机在中心部收纳有一个大型套装匣之转子。
D9313
Non vapor
不可能溶剂蒸汽干燥
是指将C6-C8 、之混合溶媒，作为 113·混合溶媒之代替品，加以使用之不可燃溶媒蒸汽干燥。
编号
用语（英文/中文）
用语说明
D9314
Flame
火焰传感器
是指可感测从火焰放射出来之紫外线，而产生信号之光传感器。此一型传感器较利用感测热或红外线之火焰传感器，灵敏度较高。
D9315
Multi rotor
多个套装匣转子
是指可收纳多数个套装匣之离心干燥机转子。
D9316
Rotor turn table
转子转盘
系指收纳有离心干燥机的套装匣，由离心力将水甩掉的旋转部。
D9317
马兰葛尼干燥
系指将晶圆以适当速度，边从冲洗槽上拉，边以含有氮气的异丙醇（IPA）蒸汽，在室温加以吹干的方法。上拉的晶圆正要离开水面时，水表面结构部（气液接口与晶圆面间的交叉部所形成的弯曲部）受到（IPA）的溶解，表面张力会下降，是利用马兰葛尼效应使晶圆不至于沾水。此一干燥法IPA消耗量较少。又有不留下水痕的特点。
D．10化学机械式抛光（CMP）用语
编号
用语（英文/中文）
用语说明
化学机械研磨
所谓化学机械研磨CMP是平坦化技术之一种，将随着装置多层化所产生凹凸面，使用化学研磨剂及亲垫，加以磨削成平坦化之方法。
衬垫表面剥落
是指衬垫(pad)表面磨损剥落谓之。一般而言，衬垫之研磨使研磨剂之通路减少，将对研磨之再现性有不良影响。
金属镶嵌法
对裸洞（bare hole）或布线之槽沟，经由形成薄膜进行掩埋，再经由研磨将多余之堆积部分加以去除，而进行洞穴之掩埋布线之技术。
凹状扭曲研磨
使用弹性研磨布来研磨时，不仅擬加以平坦化之凸出部分，连原本已平坦之部分，亦在研磨中被去除，而呈现盆状之凹处。
dual
双道金属镶嵌法
预先对裸洞(bare hole)或年个将变布线之部分，加以形成为槽沟经由新形成薄膜进行掩埋，接着经由研磨将多余之堆积部分加以去除，将洞穴之掩埋与布线同时形成之技术。
down
变薄，变细
是指当将绝缘物加以研磨时，因部分之研磨速度，比绝缘之研磨速度为快，因而图案全部比理想之终点面快，因而图案全部比理想之终点面被研磨变薄之谓。